RRF015P03 Todos los transistores

 

RRF015P03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RRF015P03

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 0.8 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 1.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 8 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 40 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.115 Ohm

Empaquetado / Estuche: TUMT3

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RRF015P03 Datasheet (PDF)

1.1. rrf015p03.pdf Size:355K _rohm

RRF015P03
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4V Drive Pch MOSFET RRF015P03 ? Structure ? Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET TUMT3 ?Features 1) Low On-resistance. 2) High power package. 3) 4V drive. Abbreviated symbol : UJ ? Application Switching ? Packaging specifications ? Inner circuit (3) Package Taping Type Code TL Basic ordering unit (pieces) 3000 ?2 RRF015P03 ? (1) ?1 ? Absolute maximum ratings (Ta =

Otros transistores... GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , IRF250 , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL , FDMS3604S , GWM100-01X1-SMD , FDMS3602AS , GWM120-0075X1-SL .

 

 
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