RRF015P03 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RRF015P03

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.115 Ohm

Encapsulados: TUMT3

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RRF015P03 datasheet

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RRF015P03

4V Drive Pch MOSFET RRF015P03 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET TUMT3 Features 1) Low On-resistance. 2) High power package. 3) 4V drive. Abbreviated symbol UJ Application Switching Packaging specifications Inner circuit (3) Package Taping Type Code TL Basic ordering unit (pieces) 3000 2 RRF015P03 (1) 1 Absolut

Otros transistores... RQ1A070AP, RQ1A070ZP, RQ1C065UN, RQ1C075UN, RQ1E050RP, RQ1E070RP, RQ1E075XN, RQ1E100XN, IRF840, RRH040P03, RRH050P03, RRH075P03, RRH090P03, RRH100P03, RRH140P03, RRL025P03, RRL035P03