RRF015P03. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RRF015P03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.115 Ohm

Тип корпуса: TUMT3

Аналог (замена) для RRF015P03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RRF015P03 даташит

 ..1. Size:355K  rohm
 rrf015p03.pdf pdf_icon

RRF015P03

4V Drive Pch MOSFET RRF015P03 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET TUMT3 Features 1) Low On-resistance. 2) High power package. 3) 4V drive. Abbreviated symbol UJ Application Switching Packaging specifications Inner circuit (3) Package Taping Type Code TL Basic ordering unit (pieces) 3000 2 RRF015P03 (1) 1 Absolut

Другие IGBT... RQ1A070AP, RQ1A070ZP, RQ1C065UN, RQ1C075UN, RQ1E050RP, RQ1E070RP, RQ1E075XN, RQ1E100XN, IRF840, RRH040P03, RRH050P03, RRH075P03, RRH090P03, RRH100P03, RRH140P03, RRL025P03, RRL035P03