Справочник MOSFET. RRF015P03

 

RRF015P03 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RRF015P03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.8 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1.5 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 3.2 nC
   Время нарастания (tr): 8 ns
   Выходная емкость (Cd): 40 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.115 Ohm
   Тип корпуса: TUMT3

 Аналог (замена) для RRF015P03

 

 

RRF015P03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:355K  rohm
 rrf015p03.pdf

RRF015P03 RRF015P03

4V Drive Pch MOSFET RRF015P03 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETTUMT3Features1) Low On-resistance.2) High power package.3) 4V drive.Abbreviated symbol : UJ ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(3)Package TapingTypeCode TLBasic ordering unit (pieces) 30002RRF015P03 (1)1 Absolut

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top