RRF015P03 - аналоги и даташиты транзистора

 

RRF015P03 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: RRF015P03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.115 Ohm
   Тип корпуса: TUMT3
 

 Аналог (замена) для RRF015P03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RRF015P03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:355K  rohm
 rrf015p03.pdf pdf_icon

RRF015P03

4V Drive Pch MOSFET RRF015P03 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETTUMT3Features1) Low On-resistance.2) High power package.3) 4V drive.Abbreviated symbol : UJ ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(3)Package TapingTypeCode TLBasic ordering unit (pieces) 30002RRF015P03 (1)1 Absolut

Другие MOSFET... RQ1A070AP , RQ1A070ZP , RQ1C065UN , RQ1C075UN , RQ1E050RP , RQ1E070RP , RQ1E075XN , RQ1E100XN , 20N60 , RRH040P03 , RRH050P03 , RRH075P03 , RRH090P03 , RRH100P03 , RRH140P03 , RRL025P03 , RRL035P03 .

History: PHB45N03LTA | NDBA100N10B | STB200N6F3 | VN10K-TO18 | SVF2N60NF | NDB708B | MTC5806V8

 

 
Back to Top

 


 
.