RRL025P03 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RRL025P03

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm

Encapsulados: TUMT6

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RRL025P03 datasheet

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RRL025P03

4V Drive Pch MOSFET RRL025P03 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET TUMT6 Features 1) Low On-resistance. 2) High speed switching. Applications Switching Abbreviated symbol UA Packaging specifications Inner circuit (6) (5) (4) Package Taping Type Code TR Basic ordering unit (pieces) 3000 2 RRL025P03 1 Absolute maximum ratings (Ta=2

Otros transistores... RQ1E100XN, RRF015P03, RRH040P03, RRH050P03, RRH075P03, RRH090P03, RRH100P03, RRH140P03, IRF640, RRL035P03, RRQ030P03, RRQ045P03, RRR015P03, RRR030P03, RRR040P03, RSC002P03, RSD050N06