RRL025P03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RRL025P03
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm
Paquete / Cubierta: TUMT6
Búsqueda de reemplazo de RRL025P03 MOSFET
RRL025P03 Datasheet (PDF)
rrl025p03.pdf

4V Drive Pch MOSFET RRL025P03 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET TUMT6 Features 1) Low On-resistance. 2) High speed switching. Applications Switching Abbreviated symbol : UA Packaging specifications Inner circuit (6) (5) (4)Package TapingType Code TRBasic ordering unit (pieces) 30002RRL025P03 1 Absolute maximum ratings (Ta=2
Otros transistores... RQ1E100XN , RRF015P03 , RRH040P03 , RRH050P03 , RRH075P03 , RRH090P03 , RRH100P03 , RRH140P03 , IRFZ44 , RRL035P03 , RRQ030P03 , RRQ045P03 , RRR015P03 , RRR030P03 , RRR040P03 , RSC002P03 , RSD050N06 .
History: HM4612D | STP16NK60Z | NTD5862N-1G
History: HM4612D | STP16NK60Z | NTD5862N-1G



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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