RRL025P03 Todos los transistores

 

RRL025P03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RRL025P03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm
   Paquete / Cubierta: TUMT6
 

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RRL025P03 Datasheet (PDF)

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RRL025P03

4V Drive Pch MOSFET RRL025P03 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET TUMT6 Features 1) Low On-resistance. 2) High speed switching. Applications Switching Abbreviated symbol : UA Packaging specifications Inner circuit (6) (5) (4)Package TapingType Code TRBasic ordering unit (pieces) 30002RRL025P03 1 Absolute maximum ratings (Ta=2

Otros transistores... RQ1E100XN , RRF015P03 , RRH040P03 , RRH050P03 , RRH075P03 , RRH090P03 , RRH100P03 , RRH140P03 , IRFP460 , RRL035P03 , RRQ030P03 , RRQ045P03 , RRR015P03 , RRR030P03 , RRR040P03 , RSC002P03 , RSD050N06 .

History: APTM100DA18CT1G | UPA2719AGR

 

 
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