RRL025P03 Todos los transistores

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RRL025P03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RRL025P03

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 2.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 16 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 70 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.055 Ohm

Empaquetado / Estuche: TUMT6

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RRL025P03 Datasheet (PDF)

1.1. rrl025p03.pdf Size:228K _rohm

RRL025P03
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4V Drive Pch MOSFET RRL025P03 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET TUMT6 Features 1) Low On-resistance. 2) High speed switching. Applications Switching Abbreviated symbol : UA Packaging specifications Inner circuit (6) (5) (4) Package Taping Type Code TR Basic ordering unit (pieces) 3000 ?2 RRL025P03 ?1 Absolute maximum ratings (Ta=25C)

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