RRL025P03. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RRL025P03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm

Тип корпуса: TUMT6

Аналог (замена) для RRL025P03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RRL025P03 даташит

 ..1. Size:228K  rohm
 rrl025p03.pdf pdf_icon

RRL025P03

4V Drive Pch MOSFET RRL025P03 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET TUMT6 Features 1) Low On-resistance. 2) High speed switching. Applications Switching Abbreviated symbol UA Packaging specifications Inner circuit (6) (5) (4) Package Taping Type Code TR Basic ordering unit (pieces) 3000 2 RRL025P03 1 Absolute maximum ratings (Ta=2

Другие IGBT... RQ1E100XN, RRF015P03, RRH040P03, RRH050P03, RRH075P03, RRH090P03, RRH100P03, RRH140P03, IRF640, RRL035P03, RRQ030P03, RRQ045P03, RRR015P03, RRR030P03, RRR040P03, RSC002P03, RSD050N06