RRQ030P03 Todos los transistores

 

RRQ030P03 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RRQ030P03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSMT6
 

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Principales características: RRQ030P03

 ..1. Size:216K  rohm
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RRQ030P03

4V Drive Pch MOSFET RRQ030P03 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET TSMT6 1.0MAX 2.9 0.85 1.9 0.95 0.95 0.7 (6) (5) (4) Features 1) Low On-resistance. 0 0.1 2) High Power Package. (1) (2) (3) 1pin mark 3) High speed switching. 0.16 0.4 Each lead has same dimensions Abbreviated symbol UA Applications Equivalent circuit Switching (6) (5)

 0.1. Size:834K  cn vbsemi
 rrq030p03tr.pdf pdf_icon

RRQ030P03

RRQ030P03TR www.VBsemi.tw P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.049 at VGS = - 10 V - 4.8 TrenchFET Power MOSFET - 30 5.1 nC 0.054 at VGS = - 4.5 V - 4.1 APPLICATIONS Load Switch TSOP-6 (4) S Top V iew 1 6 (3) G 3 mm 5 2 3 4 (1, 2, 5, 6) D 2.85 mm P

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History: PH16030L

 

 
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