Справочник MOSFET. RRQ030P03

 

RRQ030P03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RRQ030P03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
   Тип корпуса: TSMT6
 

 Аналог (замена) для RRQ030P03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RRQ030P03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:216K  rohm
 rrq030p03.pdf pdf_icon

RRQ030P03

4V Drive Pch MOSFET RRQ030P03 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET TSMT61.0MAX2.90.851.90.95 0.95 0.7(6) (5) (4) Features 1) Low On-resistance. 0~0.12) High Power Package. (1) (2) (3)1pin mark3) High speed switching. 0.160.4Each lead has same dimensionsAbbreviated symbol : UA Applications Equivalent circuit Switching (6) (5)

 0.1. Size:834K  cn vbsemi
 rrq030p03tr.pdf pdf_icon

RRQ030P03

RRQ030P03TRwww.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.049 at VGS = - 10 V - 4.8 TrenchFET Power MOSFET- 30 5.1 nC0.054 at VGS = - 4.5 V - 4.1APPLICATIONS Load SwitchTSOP-6(4) STop V iew1 6(3) G3 mm523 4(1, 2, 5, 6) D2.85 mmP

Другие MOSFET... RRH040P03 , RRH050P03 , RRH075P03 , RRH090P03 , RRH100P03 , RRH140P03 , RRL025P03 , RRL035P03 , IRFP260N , RRQ045P03 , RRR015P03 , RRR030P03 , RRR040P03 , RSC002P03 , RSD050N06 , RSD050N10 , RSD080N06 .

History: IPD60R1K0CE | CEB07N7 | SI1058X | SRADM1002 | SML4025AN

 

 
Back to Top

 


 
.