RRQ030P03. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RRQ030P03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm

Тип корпуса: TSMT6

Аналог (замена) для RRQ030P03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RRQ030P03 даташит

 ..1. Size:216K  rohm
 rrq030p03.pdf pdf_icon

RRQ030P03

4V Drive Pch MOSFET RRQ030P03 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET TSMT6 1.0MAX 2.9 0.85 1.9 0.95 0.95 0.7 (6) (5) (4) Features 1) Low On-resistance. 0 0.1 2) High Power Package. (1) (2) (3) 1pin mark 3) High speed switching. 0.16 0.4 Each lead has same dimensions Abbreviated symbol UA Applications Equivalent circuit Switching (6) (5)

 0.1. Size:834K  cn vbsemi
 rrq030p03tr.pdf pdf_icon

RRQ030P03

RRQ030P03TR www.VBsemi.tw P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.049 at VGS = - 10 V - 4.8 TrenchFET Power MOSFET - 30 5.1 nC 0.054 at VGS = - 4.5 V - 4.1 APPLICATIONS Load Switch TSOP-6 (4) S Top V iew 1 6 (3) G 3 mm 5 2 3 4 (1, 2, 5, 6) D 2.85 mm P

Другие IGBT... RRH040P03, RRH050P03, RRH075P03, RRH090P03, RRH100P03, RRH140P03, RRL025P03, RRL035P03, IRLZ44N, RRQ045P03, RRR015P03, RRR030P03, RRR040P03, RSC002P03, RSD050N06, RSD050N10, RSD080N06