RRQ045P03 Todos los transistores

 

RRQ045P03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RRQ045P03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSMT6
 

 Búsqueda de reemplazo de RRQ045P03 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

RRQ045P03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:215K  rohm
 rrq045p03.pdf pdf_icon

RRQ045P03

4V Drive Pch MOSFET RRQ045P03 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET TSMT61.0MAX2.90.851.90.95 0.95 0.7 Features (6) (5) (4)1) Low On-resistance. 2) High Power Package. 3) High speed switching. 0~0.1(1) (2) (3)1pin mark0.160.4 Application Each lead has same dimensionsSwitching Abbreviated symbol : UB Packaging specifications In

Otros transistores... RRH050P03 , RRH075P03 , RRH090P03 , RRH100P03 , RRH140P03 , RRL025P03 , RRL035P03 , RRQ030P03 , IRF640N , RRR015P03 , RRR030P03 , RRR040P03 , RSC002P03 , RSD050N06 , RSD050N10 , RSD080N06 , RSD080P05 .

History: SRC70R380E | FDMC7664 | PTA11N40 | HM3207D | IPB60R170CFD7 | MTM40N20 | SSM0410

 

 
Back to Top

 


 
.