RRQ045P03 Todos los transistores

 

RRQ045P03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RRQ045P03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSMT6
     - Selección de transistores por parámetros

 

RRQ045P03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:215K  rohm
 rrq045p03.pdf pdf_icon

RRQ045P03

4V Drive Pch MOSFET RRQ045P03 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET TSMT61.0MAX2.90.851.90.95 0.95 0.7 Features (6) (5) (4)1) Low On-resistance. 2) High Power Package. 3) High speed switching. 0~0.1(1) (2) (3)1pin mark0.160.4 Application Each lead has same dimensionsSwitching Abbreviated symbol : UB Packaging specifications In

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: HGN035N08AL | WM02N08L | CP650

 

 
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