RRQ045P03 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RRQ045P03

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm

Encapsulados: TSMT6

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RRQ045P03 datasheet

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RRQ045P03

4V Drive Pch MOSFET RRQ045P03 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET TSMT6 1.0MAX 2.9 0.85 1.9 0.95 0.95 0.7 Features (6) (5) (4) 1) Low On-resistance. 2) High Power Package. 3) High speed switching. 0 0.1 (1) (2) (3) 1pin mark 0.16 0.4 Application Each lead has same dimensions Switching Abbreviated symbol UB Packaging specifications In

Otros transistores... RRH050P03, RRH075P03, RRH090P03, RRH100P03, RRH140P03, RRL025P03, RRL035P03, RRQ030P03, IRFB4110, RRR015P03, RRR030P03, RRR040P03, RSC002P03, RSD050N06, RSD050N10, RSD080N06, RSD080P05