RRQ045P03. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RRQ045P03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm

Тип корпуса: TSMT6

Аналог (замена) для RRQ045P03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RRQ045P03 даташит

 ..1. Size:215K  rohm
 rrq045p03.pdf pdf_icon

RRQ045P03

4V Drive Pch MOSFET RRQ045P03 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET TSMT6 1.0MAX 2.9 0.85 1.9 0.95 0.95 0.7 Features (6) (5) (4) 1) Low On-resistance. 2) High Power Package. 3) High speed switching. 0 0.1 (1) (2) (3) 1pin mark 0.16 0.4 Application Each lead has same dimensions Switching Abbreviated symbol UB Packaging specifications In

Другие IGBT... RRH050P03, RRH075P03, RRH090P03, RRH100P03, RRH140P03, RRL025P03, RRL035P03, RRQ030P03, IRFB4110, RRR015P03, RRR030P03, RRR040P03, RSC002P03, RSD050N06, RSD050N10, RSD080N06, RSD080P05