RSC002P03 Todos los transistores

 

 

RSC002P03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RSC002P03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 10 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.9 Ohm
   Paquete / Cubierta: SST3 SOT23
 

 Búsqueda de reemplazo de RSC002P03 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

 

RSC002P03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1174K  rohm
rsc002p03.pdf pdf_icon

RSC002P03

Data Sheet4V Drive Pch MOSFET RSC002P03 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFET SST3Features1) Low on-resistance.2) Low-voltage drive (4V).Abbreviated symbol : WP ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping (3)TypeCode T316Basic ordering unit (pieces) 30001RSC002P03 2(2) (

Otros transistores... RRH140P03 , RRL025P03 , RRL035P03 , RRQ030P03 , RRQ045P03 , RRR015P03 , RRR030P03 , RRR040P03 , IRFB4227 , RSD050N06 , RSD050N10 , RSD080N06 , RSD080P05 , RSD100N10 , RSD140P06 , RSD150N06 , RSD160P05 .

 

 
Back to Top

 


RSC002P03
  RSC002P03
  RSC002P03
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: AGM601LL | AGM6018A | AGM6014AP | AGM6014A | AGM55P10S | AGM55P10D | AGM55P10A | AGM55N15D | AGM55N15A | AGM502 | AGM500P20D | AGM435E | AGM425ME | AGM425MD | AGM425MC | AGM425MA

 

 

 
Back to Top

 

Popular searches

2n1308 transistor | p609 | bc327-40 | tip125 | a992 transistor | 2sa913 | 2sc711 datasheet | bu4508dx

 


 
.