RSC002P03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RSC002P03
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.25 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 10 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.9 Ohm
Paquete / Cubierta: SST3 SOT23
Búsqueda de reemplazo de RSC002P03 MOSFET
RSC002P03 Datasheet (PDF)
rsc002p03.pdf
Data Sheet4V Drive Pch MOSFET RSC002P03 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFET SST3Features1) Low on-resistance.2) Low-voltage drive (4V).Abbreviated symbol : WP ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping (3)TypeCode T316Basic ordering unit (pieces) 30001RSC002P03 2(2) (
Otros transistores... RRH140P03 , RRL025P03 , RRL035P03 , RRQ030P03 , RRQ045P03 , RRR015P03 , RRR030P03 , RRR040P03 , IRFB4227 , RSD050N06 , RSD050N10 , RSD080N06 , RSD080P05 , RSD100N10 , RSD140P06 , RSD150N06 , RSD160P05 .
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