RSC002P03 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RSC002P03

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.25 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 10 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.9 Ohm

Encapsulados: SST3 SOT23

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RSC002P03 datasheet

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RSC002P03

Data Sheet 4V Drive Pch MOSFET RSC002P03 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET SST3 Features 1) Low on-resistance. 2) Low-voltage drive (4V). Abbreviated symbol WP Application Switching Packaging specifications Inner circuit Package Taping (3) Type Code T316 Basic ordering unit (pieces) 3000 1 RSC002P03 2 (2) (

Otros transistores... RRH140P03, RRL025P03, RRL035P03, RRQ030P03, RRQ045P03, RRR015P03, RRR030P03, RRR040P03, IRFB4227, RSD050N06, RSD050N10, RSD080N06, RSD080P05, RSD100N10, RSD140P06, RSD150N06, RSD160P05