Справочник MOSFET. RSC002P03

 

RSC002P03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RSC002P03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm
   Тип корпуса: SST3 SOT23
 

 Аналог (замена) для RSC002P03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RSC002P03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1174K  rohm
 rsc002p03.pdf pdf_icon

RSC002P03

Data Sheet4V Drive Pch MOSFET RSC002P03 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFET SST3Features1) Low on-resistance.2) Low-voltage drive (4V).Abbreviated symbol : WP ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping (3)TypeCode T316Basic ordering unit (pieces) 30001RSC002P03 2(2) (

Другие MOSFET... RRH140P03 , RRL025P03 , RRL035P03 , RRQ030P03 , RRQ045P03 , RRR015P03 , RRR030P03 , RRR040P03 , AON6414A , RSD050N06 , RSD050N10 , RSD080N06 , RSD080P05 , RSD100N10 , RSD140P06 , RSD150N06 , RSD160P05 .

History: FTK35N03PDFN56 | IRF6637 | IXTH22N50P | VS3615GE | AM4922N | MS4N60C

 

 
Back to Top

 


 
.