RSC002P03. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RSC002P03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm

Тип корпуса: SST3 SOT23

Аналог (замена) для RSC002P03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RSC002P03 даташит

 ..1. Size:1174K  rohm
 rsc002p03.pdf pdf_icon

RSC002P03

Data Sheet 4V Drive Pch MOSFET RSC002P03 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET SST3 Features 1) Low on-resistance. 2) Low-voltage drive (4V). Abbreviated symbol WP Application Switching Packaging specifications Inner circuit Package Taping (3) Type Code T316 Basic ordering unit (pieces) 3000 1 RSC002P03 2 (2) (

Другие IGBT... RRH140P03, RRL025P03, RRL035P03, RRQ030P03, RRQ045P03, RRR015P03, RRR030P03, RRR040P03, IRFB4227, RSD050N06, RSD050N10, RSD080N06, RSD080P05, RSD100N10, RSD140P06, RSD150N06, RSD160P05