RSD100N10 Todos los transistores

 

RSD100N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RSD100N10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.095 Ohm
   Paquete / Cubierta: CPT3 SC63 SOT428
 

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RSD100N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1155K  rohm
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RSD100N10

Data Sheet4V Drive Nch MOSFET RSD100N10 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETCPT36.5(SC-63)5.12.30.5Features1) Low on-resistance.2) 4V drive.0.753) High power package.0.650.9 2.3(1) (2) (3)2.3 0.51.0 ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping1TypeCode TLBas

 0.1. Size:1374K  rohm
 rsd100n10fra.pdf pdf_icon

RSD100N10

Data SheetAEC-Q101 Qualified4V Drive Nch MOSFET RSD100N10RSD100N10FRA Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETCPT36.5(SC-63)5.12.30.5Features1) Low on-resistance.2) 4V drive.0.753) High power package.0.650.9 2.3(1) (2) (3)2.3 0.51.0 ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackag

Otros transistores... RRR015P03 , RRR030P03 , RRR040P03 , RSC002P03 , RSD050N06 , RSD050N10 , RSD080N06 , RSD080P05 , IRFP250N , RSD140P06 , RSD150N06 , RSD160P05 , RSD175N10 , RSD200N05 , RSD200N10 , RSE002N06 , RSE002P03 .

History: KP745V | AP9967GM-HF | IRF7469 | AP75N07GW | AP75N07GS-HF | LSGG03R020

 

 
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