RSD100N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RSD100N10

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 20 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 10 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 17 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 65 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.095 Ohm

Empaquetado / Estuche: CPT3_SC63_SOT428

Búsqueda de reemplazo de MOSFET RSD100N10

RSD100N10 Datasheet (PDF)

1.1. rsd100n10.pdf Size:1155K _rohm

Data Sheet 4V Drive Nch MOSFET RSD100N10 ? Structure ? Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET CPT3 6.5 (SC-63) 5.1 2.3 0.5 ?Features 1) Low on-resistance. 2) 4V drive. 0.75 3) High power package. 0.65 0.9 2.3 (1) (2) (3) 2.3 0.5 1.0 ? Application Switching ? Packaging specifications ? Inner circuit Package Taping ?1 Type Code TL Basic ordering unit

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Liste

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