RSD100N10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RSD100N10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm

Тип корпуса: CPT3 SC63 SOT428

Аналог (замена) для RSD100N10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RSD100N10 даташит

 ..1. Size:1155K  rohm
 rsd100n10.pdf pdf_icon

RSD100N10

Data Sheet 4V Drive Nch MOSFET RSD100N10 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET CPT3 6.5 (SC-63) 5.1 2.3 0.5 Features 1) Low on-resistance. 2) 4V drive. 0.75 3) High power package. 0.65 0.9 2.3 (1) (2) (3) 2.3 0.5 1.0 Application Switching Packaging specifications Inner circuit Package Taping 1 Type Code TL Bas

 0.1. Size:1374K  rohm
 rsd100n10fra.pdf pdf_icon

RSD100N10

Data Sheet AEC-Q101 Qualified 4V Drive Nch MOSFET RSD100N10 RSD100N10FRA Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET CPT3 6.5 (SC-63) 5.1 2.3 0.5 Features 1) Low on-resistance. 2) 4V drive. 0.75 3) High power package. 0.65 0.9 2.3 (1) (2) (3) 2.3 0.5 1.0 Application Switching Packaging specifications Inner circuit Packag

Другие IGBT... RRR015P03, RRR030P03, RRR040P03, RSC002P03, RSD050N06, RSD050N10, RSD080N06, RSD080P05, 2N7000, RSD140P06, RSD150N06, RSD160P05, RSD175N10, RSD200N05, RSD200N10, RSE002N06, RSE002P03