Справочник MOSFET. RSD100N10

 

RSD100N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RSD100N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm
   Тип корпуса: CPT3 SC63 SOT428
 

 Аналог (замена) для RSD100N10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RSD100N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1155K  rohm
 rsd100n10.pdf pdf_icon

RSD100N10

Data Sheet4V Drive Nch MOSFET RSD100N10 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETCPT36.5(SC-63)5.12.30.5Features1) Low on-resistance.2) 4V drive.0.753) High power package.0.650.9 2.3(1) (2) (3)2.3 0.51.0 ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping1TypeCode TLBas

 0.1. Size:1374K  rohm
 rsd100n10fra.pdf pdf_icon

RSD100N10

Data SheetAEC-Q101 Qualified4V Drive Nch MOSFET RSD100N10RSD100N10FRA Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETCPT36.5(SC-63)5.12.30.5Features1) Low on-resistance.2) 4V drive.0.753) High power package.0.650.9 2.3(1) (2) (3)2.3 0.51.0 ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackag

Другие MOSFET... RRR015P03 , RRR030P03 , RRR040P03 , RSC002P03 , RSD050N06 , RSD050N10 , RSD080N06 , RSD080P05 , IRF9540 , RSD140P06 , RSD150N06 , RSD160P05 , RSD175N10 , RSD200N05 , RSD200N10 , RSE002N06 , RSE002P03 .

History: NDT4N65P | UPA2738GR | JCS13N90ABA | SI7137DP

 

 
Back to Top

 


 
.