RSD150N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RSD150N06
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.037 Ohm
Paquete / Cubierta: CPT3 SC63 SOT428
Búsqueda de reemplazo de RSD150N06 MOSFET
RSD150N06 Datasheet (PDF)
rsd150n06.pdf
Data Sheet4V Drive Nch MOSFET RSD150N06Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETCPT3 (SC-63) Features1) Low on-resistance.2) Fast switching speed. 3) Drive circuits can be simple. 9 4) Parallel use is easy. ApplicationsSwitchingPackaging specifications Inner ci
rsd150n06fra.pdf
Data SheetAEC-Q101 Qualified4V Drive Nch MOSFET RSD150N06FRAStructure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETCPT3 (SC-63) Features1) Low on-resistance.2) Fast switching speed. 3) Drive circuits can be simple. 9 4) Parallel use is easy. ApplicationsSwitchingPackaging spec
Otros transistores... RRR040P03 , RSC002P03 , RSD050N06 , RSD050N10 , RSD080N06 , RSD080P05 , RSD100N10 , RSD140P06 , 8205A , RSD160P05 , RSD175N10 , RSD200N05 , RSD200N10 , RSE002N06 , RSE002P03 , RSF010P05 , RSF014N03 .
History: RSE002P03 | STS2307
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AGM601LL | AGM6018A | AGM6014AP | AGM6014A | AGM55P10S | AGM55P10D | AGM55P10A | AGM55N15D | AGM55N15A | AGM502 | AGM500P20D | AGM435E | AGM425ME | AGM425MD | AGM425MC | AGM425MA
Popular searches
bu4508dx | 2sc1364 | 2sc2320 | d669a transistor | 2sc1419 | 2sc1124 | 2n408 | 2sc2690