RSD150N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RSD150N06
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 20 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 15 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de elevación (tr): 30 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 200 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.037 Ohm
Empaquetado / Estuche: CPT3_SC63_SOT428
Búsqueda de reemplazo de MOSFET RSD150N06
RSD150N06 Datasheet (PDF)
1.1. rsd150n06.pdf 
Size:1164K _rohm
Data Sheet
4V Drive Nch MOSFET
RSD150N06
?Structure ? Dimensions (Unit : mm)
Silicon N-channel MOSFET
CPT3
(SC-63)
Otros transistores... RRR040P03 , RSC002P03 , RSD050N06 , RSD050N10 , RSD080N06 , RSD080P05 , RSD100N10 , RSD140P06 , IRF830 , RSD160P05 , RSD175N10 , RSD200N05 , RSD200N10 , RSE002N06 , RSE002P03 , RSF010P05 , RSF014N03 .
