RSD150N06. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RSD150N06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.037 Ohm

Тип корпуса: CPT3 SC63 SOT428

Аналог (замена) для RSD150N06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RSD150N06 даташит

 ..1. Size:1164K  rohm
 rsd150n06.pdf pdf_icon

RSD150N06

Data Sheet 4V Drive Nch MOSFET RSD150N06 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET CPT3 (SC-63) Features 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 3) Drive circuits can be simple. 9 4) Parallel use is easy. Applications Switching Packaging specifications Inner ci

 0.1. Size:1006K  rohm
 rsd150n06fra.pdf pdf_icon

RSD150N06

Data Sheet AEC-Q101 Qualified 4V Drive Nch MOSFET RSD150N06FRA Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET CPT3 (SC-63) Features 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 3) Drive circuits can be simple. 9 4) Parallel use is easy. Applications Switching Packaging spec

Другие IGBT... RRR040P03, RSC002P03, RSD050N06, RSD050N10, RSD080N06, RSD080P05, RSD100N10, RSD140P06, 8205A, RSD160P05, RSD175N10, RSD200N05, RSD200N10, RSE002N06, RSE002P03, RSF010P05, RSF014N03