Справочник MOSFET. RSD150N06

 

RSD150N06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RSD150N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.037 Ohm
   Тип корпуса: CPT3 SC63 SOT428
 

 Аналог (замена) для RSD150N06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RSD150N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1164K  rohm
 rsd150n06.pdf pdf_icon

RSD150N06

Data Sheet4V Drive Nch MOSFET RSD150N06Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETCPT3 (SC-63) Features1) Low on-resistance.2) Fast switching speed. 3) Drive circuits can be simple. 9 4) Parallel use is easy. ApplicationsSwitchingPackaging specifications Inner ci

 0.1. Size:1006K  rohm
 rsd150n06fra.pdf pdf_icon

RSD150N06

Data SheetAEC-Q101 Qualified4V Drive Nch MOSFET RSD150N06FRAStructure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETCPT3 (SC-63) Features1) Low on-resistance.2) Fast switching speed. 3) Drive circuits can be simple. 9 4) Parallel use is easy. ApplicationsSwitchingPackaging spec

Другие MOSFET... RRR040P03 , RSC002P03 , RSD050N06 , RSD050N10 , RSD080N06 , RSD080P05 , RSD100N10 , RSD140P06 , 2SK3878 , RSD160P05 , RSD175N10 , RSD200N05 , RSD200N10 , RSE002N06 , RSE002P03 , RSF010P05 , RSF014N03 .

History: 2SK2162 | VBA1310S | AO3415A | BUK9M53-60E | TSM40N03PQ56 | AS2305

 

 
Back to Top

 


 
.