RSD160P05 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RSD160P05

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 45 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm

Encapsulados: CPT3 SC63 SOT428

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RSD160P05 datasheet

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RSD160P05

Data Sheet 4V Drive Pch MOSFET RSD160P05 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET CPT3 (SC-63) Features 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 3) Drive circuits can be simple. 9 4) Parallel use is easy. Application Switching Packaging specifications Inner cir

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RSD160P05

Data Sheet AEC-Q101 Qualified 4V Drive Pch MOSFET RSD160P05 RSD160P05FRA Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET CPT3 (SC-63) Features 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 3) Drive circuits can be simple. 9 4) Parallel use is easy. Application Switching Pack

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