Справочник MOSFET. RSD160P05

 

RSD160P05 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RSD160P05
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 45 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: CPT3 SC63 SOT428
 

 Аналог (замена) для RSD160P05

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RSD160P05 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1211K  rohm
 rsd160p05.pdf pdf_icon

RSD160P05

Data Sheet4V Drive Pch MOSFET RSD160P05Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETCPT3 (SC-63) Features1) Low on-resistance.2) Fast switching speed. 3) Drive circuits can be simple. 9 4) Parallel use is easy. ApplicationSwitching Packaging specifications Inner cir

 0.1. Size:1392K  rohm
 rsd160p05fra.pdf pdf_icon

RSD160P05

Data SheetAEC-Q101 Qualified4V Drive Pch MOSFET RSD160P05RSD160P05FRAStructure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETCPT3 (SC-63) Features1) Low on-resistance.2) Fast switching speed. 3) Drive circuits can be simple. 9 4) Parallel use is easy. ApplicationSwitching Pack

Другие MOSFET... RSC002P03 , RSD050N06 , RSD050N10 , RSD080N06 , RSD080P05 , RSD100N10 , RSD140P06 , RSD150N06 , STP75NF75 , RSD175N10 , RSD200N05 , RSD200N10 , RSE002N06 , RSE002P03 , RSF010P05 , RSF014N03 , RSF015N06 .

History: IXTQ26N50P | NCE60H15AD | MP15N60EIC | CS7N70F | OSG70R1KPF | FDFME2P823ZT

 

 
Back to Top

 


 
.