RSD200N05 Todos los transistores

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RSD200N05 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RSD200N05

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 20 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 45 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 20 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 20 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 250 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.02 Ohm

Empaquetado / Estuche: CPT3_SC63_SOT428

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RSD200N05 Datasheet (PDF)

1.1. rsd200n05.pdf Size:1197K _rohm

RSD200N05
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Data Sheet 4V Drive Nch MOSFET RSD200N05 ?Structure ? Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET CPT3 (SC-63) ?Features 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 3) Drive circuits can be simple. 9 4) Parallel use is easy. ?Application Switching ?Packaging specifications ? Inner circuit Package Tap

3.1. rsd200n10.pdf Size:241K _rohm

RSD200N05
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4V Drive Nch MOSFET RSD200N10 ?Structure ?Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET CPT3 ?Features 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 3) Wide SOA (safe operating area). 4) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be ? 20V. 5) Drive circuits can be simple. 6) Parallel use is easy. (1)Base(Gate) ?Applications (2)Collector(Drain) Switching (3)Emitter(Sou

 

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