Справочник MOSFET. RSD200N05

 

RSD200N05 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RSD200N05
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 45 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: CPT3 SC63 SOT428
 

 Аналог (замена) для RSD200N05

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RSD200N05 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1197K  rohm
 rsd200n05.pdf pdf_icon

RSD200N05

Data Sheet4V Drive Nch MOSFET RSD200N05Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETCPT3 (SC-63) Features1) Low on-resistance.2) Fast switching speed. 3) Drive circuits can be simple. 9 4) Parallel use is easy. ApplicationSwitchingPackaging specifications Inner circu

 7.1. Size:241K  rohm
 rsd200n10.pdf pdf_icon

RSD200N05

4V Drive Nch MOSFET RSD200N10 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET CPT3Features 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 3) Wide SOA (safe operating area). 4) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 20V. 5) Drive circuits can be simple. 6) Parallel use is easy. (1)Base(Gate) Applications (2)Collector(Drain) Switching (

 7.2. Size:239K  rohm
 rsd200n10tl.pdf pdf_icon

RSD200N05

4V Drive Nch MOSFET RSD200N10 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET CPT3Features 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 3) Wide SOA (safe operating area). 4) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 20V. 5) Drive circuits can be simple. 6) Parallel use is easy. (1)Base(Gate) Applications (2)Collector(Drain) Switching (

 9.1. Size:366K  rohm
 rsd201n10.pdf pdf_icon

RSD200N05

RSD201N10 Nch 100V 20A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS100VCPT3(SC-63)RDS(on) (Max.)46mW(3) ID20A(2) (1) PD20WlFeatures lInner circuit(3) 1) Low on-resistance.*1 (1) Gate 2) Fast switching speed.(2) Drain (1) (3) Source 3) Drive circuits can be simple.*2 *1 ESD PROTECTION DIODE 4) Parallel use is easy.*2 BODY DIODE 5) Pb-f

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... RSD050N10 , RSD080N06 , RSD080P05 , RSD100N10 , RSD140P06 , RSD150N06 , RSD160P05 , RSD175N10 , 7N65 , RSD200N10 , RSE002N06 , RSE002P03 , RSF010P05 , RSF014N03 , RSF015N06 , RSH065N06 , RSH070N05 .

History: SVSP11N70FD2 | HGP115N15S | STW80NE06-10 | UT8205AG-P08-R | SM4927BSK | DMN5L06VK | KF9N40D

 

 
Back to Top

 


 
.