RSJ10HN06 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RSJ10HN06

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 470 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2000 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm

Encapsulados: LPTS

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RSJ10HN06 datasheet

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RSJ10HN06

Data Sheet 4V Drive Nch MOSFET RSJ10HN06 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET LPTS 10.1 4.5 1.3 Features 1.24 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 2.54 0.4 0.78 3) High power Package 2.7 5.08 (1) (2) (3) Application Switching Packaging specifications Inner circuit 1 Package Taping Type Code TL Basic order

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