RSJ10HN06 Todos los transistores

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RSJ10HN06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RSJ10HN06

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 100 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 100 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 470 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 2000 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.003 Ohm

Empaquetado / Estuche: LPTS

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RSJ10HN06 Datasheet (PDF)

1.1. rsj10hn06.pdf Size:1245K _rohm

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Data Sheet 4V Drive Nch MOSFET RSJ10HN06 ? Structure ? Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET LPTS 10.1 4.5 1.3 ?Features 1.24 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 2.54 0.4 0.78 3) High power Package 2.7 5.08 (1) (2) (3) ? Application Switching ? Packaging specifications ? Inner circuit ?1 Package Taping Type Code TL Basic ordering unit (pieces)

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