RSJ10HN06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RSJ10HN06
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 100 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 100 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de elevación (tr): 470 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 2000 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.003 Ohm
Empaquetado / Estuche: LPTS
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RSJ10HN06 Datasheet (PDF)
1.1. rsj10hn06.pdf 
Size:1245K _rohm
Data Sheet 4V Drive Nch MOSFET RSJ10HN06 ? Structure ? Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET LPTS 10.1 4.5 1.3 ?Features 1.24 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 2.54 0.4 0.78 3) High power Package 2.7 5.08 (1) (2) (3) ? Application Switching ? Packaging specifications ? Inner circuit ?1 Package Taping Type Code TL Basic ordering unit (pieces)
Otros transistores... RSE002N06 , RSE002P03 , RSF010P05 , RSF014N03 , RSF015N06 , RSH065N06 , RSH070N05 , RSH070P05 , IRF9540 , RSJ250P10 , RSJ300N10 , RSJ400N06 , RSJ450N04 , RSJ550N10 , RSJ650N10 , RSM002N06 , RSM002P03 .
