Справочник MOSFET. RSJ10HN06

 

RSJ10HN06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RSJ10HN06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 470 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2000 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm
   Тип корпуса: LPTS
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RSJ10HN06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1245K  rohm
 rsj10hn06.pdf pdf_icon

RSJ10HN06

Data Sheet4V Drive Nch MOSFET RSJ10HN06 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETLPTS10.1 4.51.3Features1.241) Low on-resistance.2) Built-in G-S Protection Diode.2.54 0.40.783) High power Package 2.75.08(1) (2) (3) ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit1Package TapingTypeCode TLBasic order

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: SML40C15N | SDF120JDA-D | IRLU3715 | DG840 | KNB1906A | FDPF8N50NZU | 2SK4143-S17-AY

 

 
Back to Top

 


 
.