RSJ10HN06. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RSJ10HN06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 470 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2000 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm

Тип корпуса: LPTS

Аналог (замена) для RSJ10HN06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RSJ10HN06 даташит

 ..1. Size:1245K  rohm
 rsj10hn06.pdf pdf_icon

RSJ10HN06

Data Sheet 4V Drive Nch MOSFET RSJ10HN06 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET LPTS 10.1 4.5 1.3 Features 1.24 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 2.54 0.4 0.78 3) High power Package 2.7 5.08 (1) (2) (3) Application Switching Packaging specifications Inner circuit 1 Package Taping Type Code TL Basic order

Другие IGBT... RSE002N06, RSE002P03, RSF010P05, RSF014N03, RSF015N06, RSH065N06, RSH070N05, RSH070P05, K3569, RSJ250P10, RSJ300N10, RSJ400N06, RSJ450N04, RSJ550N10, RSJ650N10, RSM002N06, RSM002P03