RSJ10HN06 - аналоги и даташиты транзистора

 

RSJ10HN06 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: RSJ10HN06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 470 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2000 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm
   Тип корпуса: LPTS
 

 Аналог (замена) для RSJ10HN06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RSJ10HN06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1245K  rohm
 rsj10hn06.pdf pdf_icon

RSJ10HN06

Data Sheet4V Drive Nch MOSFET RSJ10HN06 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETLPTS10.1 4.51.3Features1.241) Low on-resistance.2) Built-in G-S Protection Diode.2.54 0.40.783) High power Package 2.75.08(1) (2) (3) ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit1Package TapingTypeCode TLBasic order

Другие MOSFET... RSE002N06 , RSE002P03 , RSF010P05 , RSF014N03 , RSF015N06 , RSH065N06 , RSH070N05 , RSH070P05 , 12N60 , RSJ250P10 , RSJ300N10 , RSJ400N06 , RSJ450N04 , RSJ550N10 , RSJ650N10 , RSM002N06 , RSM002P03 .

History: IRFR024N | SIRA18ADP | SVF12N60K | DMN26D0UFB4 | SIR626DP | AP30N30W

 

 
Back to Top

 


 
.