RSJ250P10 Todos los transistores

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RSJ250P10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RSJ250P10

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 50 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 25 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 67 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 300 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.045 Ohm

Empaquetado / Estuche: LPTS

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RSJ250P10 Datasheet (PDF)

1.1. rsj250p10.pdf Size:1188K _rohm

RSJ250P10
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Data Sheet 4V Drive Pch MOSFET RSJ250P10 ? Structure ? Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET LPTS 10.1 4.5 1.3 ?Features 1.24 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 2.54 0.4 0.78 2.7 5.08 (1) (2) (3) ? Application Switching ? Packaging specifications ? Inner circuit ?1 Package Taping Type Code TL Basic ordering unit (pieces) 1000 ?2 RSJ250P10 0

Otros transistores... RSE002P03 , RSF010P05 , RSF014N03 , RSF015N06 , RSH065N06 , RSH070N05 , RSH070P05 , RSJ10HN06 , IRFP4227 , RSJ300N10 , RSJ400N06 , RSJ450N04 , RSJ550N10 , RSJ650N10 , RSM002N06 , RSM002P03 , RSQ015N06 .

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