RSJ250P10 Todos los transistores

 

RSJ250P10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RSJ250P10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 67 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
   Paquete / Cubierta: LPTS
 

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RSJ250P10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1188K  rohm
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RSJ250P10

Data Sheet4V Drive Pch MOSFET RSJ250P10 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETLPTS10.1 4.51.3Features1.241) Low on-resistance.2) Built-in G-S Protection Diode.2.54 0.40.782.75.08(1) (2) (3) ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit1Package TapingTypeCode TLBasic ordering unit (pieces) 1000

 ..2. Size:339K  inchange semiconductor
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RSJ250P10

isc P-Channel MOSFET Transistor RSJ250P10FEATURESDrain Current I = -25A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = -100V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 63m(Max) @V =10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONBe suitable for synchronous rectification for ser

Otros transistores... RSE002P03 , RSF010P05 , RSF014N03 , RSF015N06 , RSH065N06 , RSH070N05 , RSH070P05 , RSJ10HN06 , 8205A , RSJ300N10 , RSJ400N06 , RSJ450N04 , RSJ550N10 , RSJ650N10 , RSM002N06 , RSM002P03 , RSQ015N06 .

History: NP90N04VDG | IXTP86N20T | WVM6N100 | APT1003RKFLLG | SML10S75XX | KHB9D0N50F2 | IPD65R660CFD

 

 
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