RSJ250P10 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

RSJ250P10 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RSJ250P10

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 67 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm

Encapsulados: LPTS

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RSJ250P10 datasheet

..1. Size:1188K rohm
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Data Sheet 4V Drive Pch MOSFET RSJ250P10 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET LPTS 10.1 4.5 1.3 Features 1.24 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 2.54 0.4 0.78 2.7 5.08 (1) (2) (3) Application Switching Packaging specifications Inner circuit 1 Package Taping Type Code TL Basic ordering unit (pieces) 1000

..2. Size:339K inchange semiconductor
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isc P-Channel MOSFET Transistor RSJ250P10 FEATURES Drain Current I = -25A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = -100V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 63m (Max) @V =10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Be suitable for synchronous rectification for ser

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