RSJ250P10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RSJ250P10
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 50 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 25 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de elevación (tr): 67 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 300 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.045 Ohm
Empaquetado / Estuche: LPTS
Búsqueda de reemplazo de MOSFET RSJ250P10
RSJ250P10 Datasheet (PDF)
1.1. rsj250p10.pdf 
Size:1188K _rohm
Data Sheet 4V Drive Pch MOSFET RSJ250P10 ? Structure ? Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET LPTS 10.1 4.5 1.3 ?Features 1.24 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 2.54 0.4 0.78 2.7 5.08 (1) (2) (3) ? Application Switching ? Packaging specifications ? Inner circuit ?1 Package Taping Type Code TL Basic ordering unit (pieces) 1000 ?2 RSJ250P10 0
Otros transistores... RSE002P03 , RSF010P05 , RSF014N03 , RSF015N06 , RSH065N06 , RSH070N05 , RSH070P05 , RSJ10HN06 , IRFP4227 , RSJ300N10 , RSJ400N06 , RSJ450N04 , RSJ550N10 , RSJ650N10 , RSM002N06 , RSM002P03 , RSQ015N06 .
