RSJ250P10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RSJ250P10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 67 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm

Тип корпуса: LPTS

Аналог (замена) для RSJ250P10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RSJ250P10 даташит

 ..1. Size:1188K  rohm
 rsj250p10.pdf pdf_icon

RSJ250P10

Data Sheet 4V Drive Pch MOSFET RSJ250P10 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET LPTS 10.1 4.5 1.3 Features 1.24 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 2.54 0.4 0.78 2.7 5.08 (1) (2) (3) Application Switching Packaging specifications Inner circuit 1 Package Taping Type Code TL Basic ordering unit (pieces) 1000

 ..2. Size:339K  inchange semiconductor
 rsj250p10.pdf pdf_icon

RSJ250P10

isc P-Channel MOSFET Transistor RSJ250P10 FEATURES Drain Current I = -25A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = -100V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 63m (Max) @V =10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Be suitable for synchronous rectification for ser

Другие IGBT... RSE002P03, RSF010P05, RSF014N03, RSF015N06, RSH065N06, RSH070N05, RSH070P05, RSJ10HN06, IRFP260, RSJ300N10, RSJ400N06, RSJ450N04, RSJ550N10, RSJ650N10, RSM002N06, RSM002P03, RSQ015N06