Справочник MOSFET. RSJ250P10

 

RSJ250P10 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RSJ250P10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 67 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
   Тип корпуса: LPTS

 Аналог (замена) для RSJ250P10

 

 

RSJ250P10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1188K  rohm
 rsj250p10.pdf

RSJ250P10 RSJ250P10

Data Sheet4V Drive Pch MOSFET RSJ250P10 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETLPTS10.1 4.51.3Features1.241) Low on-resistance.2) Built-in G-S Protection Diode.2.54 0.40.782.75.08(1) (2) (3) ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit1Package TapingTypeCode TLBasic ordering unit (pieces) 1000

 ..2. Size:339K  inchange semiconductor
 rsj250p10.pdf

RSJ250P10 RSJ250P10

isc P-Channel MOSFET Transistor RSJ250P10FEATURESDrain Current I = -25A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = -100V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 63m(Max) @V =10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONBe suitable for synchronous rectification for ser

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top