RSJ250P10 - аналоги и даташиты транзистора

 

RSJ250P10 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: RSJ250P10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 67 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
   Тип корпуса: LPTS
 

 Аналог (замена) для RSJ250P10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RSJ250P10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1188K  rohm
 rsj250p10.pdf pdf_icon

RSJ250P10

Data Sheet4V Drive Pch MOSFET RSJ250P10 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETLPTS10.1 4.51.3Features1.241) Low on-resistance.2) Built-in G-S Protection Diode.2.54 0.40.782.75.08(1) (2) (3) ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit1Package TapingTypeCode TLBasic ordering unit (pieces) 1000

 ..2. Size:339K  inchange semiconductor
 rsj250p10.pdf pdf_icon

RSJ250P10

isc P-Channel MOSFET Transistor RSJ250P10FEATURESDrain Current I = -25A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = -100V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 63m(Max) @V =10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONBe suitable for synchronous rectification for ser

Другие MOSFET... RSE002P03 , RSF010P05 , RSF014N03 , RSF015N06 , RSH065N06 , RSH070N05 , RSH070P05 , RSJ10HN06 , 4435 , RSJ300N10 , RSJ400N06 , RSJ450N04 , RSJ550N10 , RSJ650N10 , RSM002N06 , RSM002P03 , RSQ015N06 .

History: HCFL80R250

 

 
Back to Top

 


 
.