RSJ300N10 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RSJ300N10

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 65 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.033 Ohm

Encapsulados: LPTS

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RSJ300N10 datasheet

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RSJ300N10

Data Sheet 4V Drive Nch MOSFET RSJ300N10 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET LPTS 10.1 4.5 1.3 Features 1.24 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 2.54 0.4 0.78 2.7 5.08 (1) (2) (3) Application Switching Packaging specifications Inner circuit Package Taping 1 Type Code TL Basic ordering unit (pieces) 1000

Otros transistores... RSF010P05, RSF014N03, RSF015N06, RSH065N06, RSH070N05, RSH070P05, RSJ10HN06, RSJ250P10, 4435, RSJ400N06, RSJ450N04, RSJ550N10, RSJ650N10, RSM002N06, RSM002P03, RSQ015N06, RSQ015P10