RSJ300N10 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: RSJ300N10
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.033 Ohm
Тип корпуса: LPTS
Аналог (замена) для RSJ300N10
RSJ300N10 Datasheet (PDF)
rsj300n10.pdf
Data Sheet4V Drive Nch MOSFET RSJ300N10 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETLPTS10.1 4.51.3Features1.241) Low on-resistance.2) Built-in G-S Protection Diode.2.54 0.40.782.75.08(1) (2) (3) ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping1TypeCode TLBasic ordering unit (pieces) 1000
Другие MOSFET... RSF010P05 , RSF014N03 , RSF015N06 , RSH065N06 , RSH070N05 , RSH070P05 , RSJ10HN06 , RSJ250P10 , 4435 , RSJ400N06 , RSJ450N04 , RSJ550N10 , RSJ650N10 , RSM002N06 , RSM002P03 , RSQ015N06 , RSQ015P10 .
History: DMP1045UFY4 | RSD150N06 | HGN045NE4SL | DMP2033UVT | RRH140P03 | H5N1506P | DMP3035SFG
History: DMP1045UFY4 | RSD150N06 | HGN045NE4SL | DMP2033UVT | RRH140P03 | H5N1506P | DMP3035SFG
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM601LL | AGM6018A | AGM6014AP | AGM6014A | AGM55P10S | AGM55P10D | AGM55P10A | AGM55N15D | AGM55N15A | AGM502 | AGM500P20D | AGM435E | AGM425ME | AGM425MD | AGM425MC | AGM425MA
Popular searches
a950 transistor | k2611 | c1740 transistor | c828 transistor | c4467 | c2383 transistor | 2n3055 equivalent | s9015 datasheet


