Справочник MOSFET. RSJ300N10

 

RSJ300N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RSJ300N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.033 Ohm
   Тип корпуса: LPTS
 

 Аналог (замена) для RSJ300N10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RSJ300N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1171K  rohm
 rsj300n10.pdf pdf_icon

RSJ300N10

Data Sheet4V Drive Nch MOSFET RSJ300N10 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETLPTS10.1 4.51.3Features1.241) Low on-resistance.2) Built-in G-S Protection Diode.2.54 0.40.782.75.08(1) (2) (3) ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping1TypeCode TLBasic ordering unit (pieces) 1000

Другие MOSFET... RSF010P05 , RSF014N03 , RSF015N06 , RSH065N06 , RSH070N05 , RSH070P05 , RSJ10HN06 , RSJ250P10 , 2SK3568 , RSJ400N06 , RSJ450N04 , RSJ550N10 , RSJ650N10 , RSM002N06 , RSM002P03 , RSQ015N06 , RSQ015P10 .

History: UPA2738GR

 

 
Back to Top

 


 
.