RSJ550N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RSJ550N10

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 100 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 55 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Carga de compuerta (Qg): 143 nC

Tiempo de elevación (tr): 105 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 460 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.012 Ohm

Empaquetado / Estuche: LPTS

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RSJ550N10 Datasheet (PDF)

1.1. rsj550n10.pdf Size:1125K _rohm

Data Sheet 4V Drive Nch MOSFET RSJ550N10 ? Structure ? Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET LPTS 10.1 4.5 1.3 ?Features 1.24 1) Low on-resistance. 2) High Power Package. 2.54 0.4 0.78 2.7 3) 4V drive. 5.08 (1) (2) (3) ? Application Switching ? Packaging specifications ? Inner circuit ?1 Package Taping Type Code TL Basic ordering unit (pieces) 1000 ?2 RSJ550N10

Otros transistores... IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRFP354 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , J111 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP441 , IRFP442 , IRFP443 .

Liste

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