RSJ550N10 - аналоги и даташиты транзистора

 

RSJ550N10 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: RSJ550N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 105 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: LPTS
 

 Аналог (замена) для RSJ550N10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RSJ550N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1125K  rohm
 rsj550n10.pdf pdf_icon

RSJ550N10

Data Sheet4V Drive Nch MOSFET RSJ550N10 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETLPTS10.1 4.51.3Features1.241) Low on-resistance.2) High Power Package.2.54 0.40.782.73) 4V drive. 5.08(1) (2) (3) ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit1Package TapingTypeCode TLBasic ordering unit (pieces) 10

Другие MOSFET... RSH065N06 , RSH070N05 , RSH070P05 , RSJ10HN06 , RSJ250P10 , RSJ300N10 , RSJ400N06 , RSJ450N04 , IRFB3607 , RSJ650N10 , RSM002N06 , RSM002P03 , RSQ015N06 , RSQ015P10 , RSQ020N03 , RSQ045N03 , RSR010N10 .

History: AP3801GM | SIHLZ34 | BRCS120P012ZJ

 

 
Back to Top

 


 
.