RSJ550N10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RSJ550N10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 105 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: LPTS

Аналог (замена) для RSJ550N10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RSJ550N10 даташит

 ..1. Size:1125K  rohm
 rsj550n10.pdf pdf_icon

RSJ550N10

Data Sheet 4V Drive Nch MOSFET RSJ550N10 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET LPTS 10.1 4.5 1.3 Features 1.24 1) Low on-resistance. 2) High Power Package. 2.54 0.4 0.78 2.7 3) 4V drive. 5.08 (1) (2) (3) Application Switching Packaging specifications Inner circuit 1 Package Taping Type Code TL Basic ordering unit (pieces) 10

Другие IGBT... RSH065N06, RSH070N05, RSH070P05, RSJ10HN06, RSJ250P10, RSJ300N10, RSJ400N06, RSJ450N04, K4145, RSJ650N10, RSM002N06, RSM002P03, RSQ015N06, RSQ015P10, RSQ020N03, RSQ045N03, RSR010N10