RSJ650N10 Todos los transistores

 

RSJ650N10 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RSJ650N10

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 65 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 170 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 785 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm

Encapsulados: LPTS

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RSJ650N10 datasheet

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RSJ650N10

Data Sheet 4V Drive Nch MOSFET RSJ650N10 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET LPTS 10.1 4.5 1.3 Features 1) Low on-resistance. 1.24 2) High power package. 2.54 0.4 0.78 3) 4V drive. 2.7 5.08 (1) (2) (3) Application Switching Packaging specifications Inner circuit Package Taping 1 Type Code TL Basic ordering unit (pieces) 1

Otros transistores... RSH070N05 , RSH070P05 , RSJ10HN06 , RSJ250P10 , RSJ300N10 , RSJ400N06 , RSJ450N04 , RSJ550N10 , 13N50 , RSM002N06 , RSM002P03 , RSQ015N06 , RSQ015P10 , RSQ020N03 , RSQ045N03 , RSR010N10 , RSR020N06 .

 

 

 


 
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