RSJ650N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: RSJ650N10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 65 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 260 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 170 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 785 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm
   Paquete / Cubierta: LPTS

Búsqueda de reemplazo de MOSFET RSJ650N10

RSJ650N10 Datasheet (PDF)

..1. Size:1121K rohm
rsj650n10.pdf

Data Sheet4V Drive Nch MOSFET RSJ650N10 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETLPTS10.1 4.51.3Features1) Low on-resistance.1.242) High power package.2.54 0.40.783) 4V drive.2.75.08(1) (2) (3) ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping1TypeCode TLBasic ordering unit (pieces) 1

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

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