Справочник MOSFET. RSJ650N10

 

RSJ650N10 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RSJ650N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 170 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 785 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
   Тип корпуса: LPTS

 Аналог (замена) для RSJ650N10

 

 

RSJ650N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1121K  rohm
 rsj650n10.pdf

RSJ650N10 RSJ650N10

Data Sheet4V Drive Nch MOSFET RSJ650N10 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETLPTS10.1 4.51.3Features1) Low on-resistance.1.242) High power package.2.54 0.40.783) 4V drive.2.75.08(1) (2) (3) ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping1TypeCode TLBasic ordering unit (pieces) 1

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top