Справочник MOSFET. RSJ650N10

 

RSJ650N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RSJ650N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 170 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 785 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
   Тип корпуса: LPTS
 

 Аналог (замена) для RSJ650N10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RSJ650N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1121K  rohm
 rsj650n10.pdf pdf_icon

RSJ650N10

Data Sheet4V Drive Nch MOSFET RSJ650N10 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETLPTS10.1 4.51.3Features1) Low on-resistance.1.242) High power package.2.54 0.40.783) 4V drive.2.75.08(1) (2) (3) ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping1TypeCode TLBasic ordering unit (pieces) 1

Другие MOSFET... RSH070N05 , RSH070P05 , RSJ10HN06 , RSJ250P10 , RSJ300N10 , RSJ400N06 , RSJ450N04 , RSJ550N10 , TK10A60D , RSM002N06 , RSM002P03 , RSQ015N06 , RSQ015P10 , RSQ020N03 , RSQ045N03 , RSR010N10 , RSR020N06 .

History: 2SK1949S | IPD180N10N3G | FQB12P20TM | IRHMS597Z60 | FCP125N60E | SI2327DS | AM4492N

 

 
Back to Top

 


 
.