RSJ650N10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RSJ650N10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 170 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 785 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm

Тип корпуса: LPTS

Аналог (замена) для RSJ650N10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RSJ650N10 даташит

 ..1. Size:1121K  rohm
 rsj650n10.pdf pdf_icon

RSJ650N10

Data Sheet 4V Drive Nch MOSFET RSJ650N10 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET LPTS 10.1 4.5 1.3 Features 1) Low on-resistance. 1.24 2) High power package. 2.54 0.4 0.78 3) 4V drive. 2.7 5.08 (1) (2) (3) Application Switching Packaging specifications Inner circuit Package Taping 1 Type Code TL Basic ordering unit (pieces) 1

Другие IGBT... RSH070N05, RSH070P05, RSJ10HN06, RSJ250P10, RSJ300N10, RSJ400N06, RSJ450N04, RSJ550N10, 13N50, RSM002N06, RSM002P03, RSQ015N06, RSQ015P10, RSQ020N03, RSQ045N03, RSR010N10, RSR020N06