RSM002N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RSM002N06
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.25 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4.5 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.7 Ohm
Paquete / Cubierta: VMT3
Búsqueda de reemplazo de RSM002N06 MOSFET
RSM002N06 Datasheet (PDF)
rsm002n06.pdf

2.5V Drive Nch MOSFET RSM002N06 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETVMT3Features1) High speed switing.2) Small package(VMT3).3) Low voltage drive(2.5V drive).Abbreviated symbol : RK ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(3)Package TapingTypeCode T2LBasic ordering unit (pieces) 8000RSM002N06
rsm002p03t2l.pdf

RSM002P03 Transistors 4V Drive Pch MOSFET RSM002P03 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET VMT31.20.32 Features (3)1) Low On-resistance. 2) Small package (VMT3). (1)(2)0.220.130.4 0.43) 4V drive. 0.50.8(1)Gate(2)Source(3)Drain Abbreviated symbol : WP ApplicationsSwitching Packaging specifications Inner circuit Package Taping
rsm002p03.pdf

RSM002P03 Transistors 4V Drive Pch MOSFET RSM002P03 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET VMT31.20.32 Features (3)1) Low On-resistance. 2) Small package (VMT3). (1)(2)0.220.130.4 0.43) 4V drive. 0.50.8(1)Gate(2)Source(3)Drain Abbreviated symbol : WP ApplicationsSwitching Packaging specifications Inner circuit Package Taping
Otros transistores... RSH070P05 , RSJ10HN06 , RSJ250P10 , RSJ300N10 , RSJ400N06 , RSJ450N04 , RSJ550N10 , RSJ650N10 , RFP50N06 , RSM002P03 , RSQ015N06 , RSQ015P10 , RSQ020N03 , RSQ045N03 , RSR010N10 , RSR020N06 , RSR025N03 .



Liste
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