RSM002N06 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RSM002N06

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.25 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4.5 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.7 Ohm

Encapsulados: VMT3

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RSM002N06 datasheet

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RSM002N06

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RSM002N06

RSM002P03 Transistors 4V Drive Pch MOSFET RSM002P03 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET VMT3 1.2 0.32 Features (3) 1) Low On-resistance. 2) Small package (VMT3). (1)(2) 0.22 0.13 0.4 0.4 3) 4V drive. 0.5 0.8 (1)Gate (2)Source (3)Drain Abbreviated symbol WP Applications Switching Packaging specifications Inner circuit Package Taping

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RSM002N06

RSM002P03 Transistors 4V Drive Pch MOSFET RSM002P03 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET VMT3 1.2 0.32 Features (3) 1) Low On-resistance. 2) Small package (VMT3). (1)(2) 0.22 0.13 0.4 0.4 3) 4V drive. 0.5 0.8 (1)Gate (2)Source (3)Drain Abbreviated symbol WP Applications Switching Packaging specifications Inner circuit Package Taping

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