RSM002N06. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RSM002N06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 4.5 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.7 Ohm

Тип корпуса: VMT3

Аналог (замена) для RSM002N06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RSM002N06 даташит

 ..1. Size:171K  rohm
 rsm002n06.pdf pdf_icon

RSM002N06

 8.1. Size:62K  rohm
 rsm002p03t2l.pdf pdf_icon

RSM002N06

RSM002P03 Transistors 4V Drive Pch MOSFET RSM002P03 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET VMT3 1.2 0.32 Features (3) 1) Low On-resistance. 2) Small package (VMT3). (1)(2) 0.22 0.13 0.4 0.4 3) 4V drive. 0.5 0.8 (1)Gate (2)Source (3)Drain Abbreviated symbol WP Applications Switching Packaging specifications Inner circuit Package Taping

 8.2. Size:64K  rohm
 rsm002p03.pdf pdf_icon

RSM002N06

RSM002P03 Transistors 4V Drive Pch MOSFET RSM002P03 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET VMT3 1.2 0.32 Features (3) 1) Low On-resistance. 2) Small package (VMT3). (1)(2) 0.22 0.13 0.4 0.4 3) 4V drive. 0.5 0.8 (1)Gate (2)Source (3)Drain Abbreviated symbol WP Applications Switching Packaging specifications Inner circuit Package Taping

Другие IGBT... RSH070P05, RSJ10HN06, RSJ250P10, RSJ300N10, RSJ400N06, RSJ450N04, RSJ550N10, RSJ650N10, AON7410, RSM002P03, RSQ015N06, RSQ015P10, RSQ020N03, RSQ045N03, RSR010N10, RSR020N06, RSR025N03