RSQ020N03 Todos los transistores

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RSQ020N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RSQ020N03

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1.25 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 9 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 40 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.096 Ohm

Empaquetado / Estuche: TSMT6

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RSQ020N03 Datasheet (PDF)

1.1. rsq020n03.pdf Size:65K _rohm

RSQ020N03
RSQ020N03

RSQ020N03 Transistors 4V Drive Nch MOSFET RSQ020N03 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TSMT6 1.0MAX 2.9 0.85 1.9 Features 0.95 0.95 0.7 (6) (5) (4) 1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TSMT6). 0~0.1 (1) (2) (3) 1pin mark 0.16 0.4 Applications Each lead has same dimensions Switching Abbreviated symbol : QQ

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