Справочник MOSFET. RSQ020N03

 

RSQ020N03 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RSQ020N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 10 nC
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.096 Ohm
   Тип корпуса: TSMT6

 Аналог (замена) для RSQ020N03

 

 

RSQ020N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:65K  rohm
 rsq020n03.pdf

RSQ020N03 RSQ020N03

RSQ020N03 Transistors 4V Drive Nch MOSFET RSQ020N03 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TSMT61.0MAX2.90.851.9 Features 0.95 0.95 0.7(6) (5) (4)1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TSMT6). 0~0.1(1) (2) (3)1pin mark0.160.4 ApplicationsEach lead has same dimensionsSwitching Abbreviated symbol : Q

 0.1. Size:1074K  rohm
 rsq020n03fra.pdf

RSQ020N03 RSQ020N03

RSQ020N03FRA Nch 30V 2A Power MOSFET DatasheetAEC-Q101 QualifiedlOutline(6) VDSS30V(5) TSMT6(4) RDS(on) (Max.)134mW(1) ID2.0A(2) PD1.25W(3) lFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(1) Drain (2) Drain 2) Built-in G-S Protection Diode.(3) Gate (4) Source 3) Small Surface Mount Package (TSMT6).(5) Drain (6) Drain 4) Pb-free lead plat

 0.2. Size:63K  rohm
 rsq020n03tr.pdf

RSQ020N03 RSQ020N03

RSQ020N03 Transistors 4V Drive Nch MOSFET RSQ020N03 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TSMT61.0MAX2.90.851.9 Features 0.95 0.95 0.7(6) (5) (4)1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TSMT6). 0~0.1(1) (2) (3)1pin mark0.160.4 ApplicationsEach lead has same dimensionsSwitching Abbreviated symbol : Q

 9.1. Size:70K  rohm
 rsq025p03tr.pdf

RSQ020N03 RSQ020N03

RSQ025P03TransistorDC-DC Converter (-30V, -2.5A)RSQ025P03 External dimensions (Units : mm) Features 1) Low On-resistance.(120m at 4.5V)2) High Power Package.(PD=1.25W)TSMT62.83) High speed switching.1.64) Low voltage drive.(4V)Each lead has same dimensionsAbbreviatedsymbol : TP ApplicationsDC-DC converter Equivalent circuit Struct

 9.2. Size:961K  rohm
 rsq025p03fra.pdf

RSQ020N03 RSQ020N03

RSQ025P03FRARSQ025P03TransistorAEC-Q101 Qualified4V Drive Pch MOS FET RSQ025P03FRARSQ025P03 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOS FET TSMT61.0MAX2.90.851.9 Features 0.95 0.95 0.7(6) (5) (4)1) Low On-resistance.(120m at 4.5V) 2) High Power Package.(PD=1.25W) 0~0.1(1) (2) (3)3) High speed switching. 1pin mark4) Low voltage

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top