RSQ045N03 Todos los transistores

 

RSQ045N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RSQ045N03

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1.25 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 4.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 19 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 150 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.027 Ohm

Empaquetado / Estuche: TSMT6

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RSQ045N03 Datasheet (PDF)

1.1. rsq045n03.pdf Size:119K _rohm

RSQ045N03
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RSQ045N03 Transistors 4V Drive Nch MOSFET RSQ045N03 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TSMT6 Features 1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TSMT6). 3) Low voltage drive (4V drive). Each lead has same dimensions Applications Abbreviated symbol : QL Switching Packaging specifications Inner circuit (6) (5) (4) Pac

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