RSQ045N03 Todos los transistores

 

RSQ045N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RSQ045N03

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1.25 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 4.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 19 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 150 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.027 Ohm

Empaquetado / Estuche: TSMT6

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RSQ045N03 Datasheet (PDF)

1.1. rsq045n03fra.pdf Size:1083K _update_mosfet

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RSQ045N03FRA Nch 30V 4.5A Power MOSFET Datasheet AEC-Q101 Qualified lOutline (6) VDSS 30V TSMT6 (5) (4) RDS(on) (Max.) 38mW ID (1) 4.5A (2) PD 1.25W (3) lFeatures lInner circuit 1) Low on - resistance. (1) Drain (2) Drain 2) Built-in G-S Protection Diode. (3) Gate (4) Source 3) Small Surface Mount Package (TSMT6). (5) Drain (6) Drain 4) Pb-free lead plati

1.2. rsq045n03tr.pdf Size:117K _update_mosfet

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RSQ045N03 Transistors 4V Drive Nch MOSFET RSQ045N03 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TSMT6 Features 1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TSMT6). 3) Low voltage drive (4V drive). Each lead has same dimensions Applications Abbreviated symbol : QL Switching Packaging specifications Inner circuit (6) (5) (4)

 1.3. rsq045n03.pdf Size:119K _rohm

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RSQ045N03 Transistors 4V Drive Nch MOSFET RSQ045N03 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TSMT6 Features 1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TSMT6). 3) Low voltage drive (4V drive). Each lead has same dimensions Applications Abbreviated symbol : QL Switching Packaging specifications Inner circuit (6) (5) (4) Pac

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