RSQ045N03 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RSQ045N03  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm

Тип корпуса: TSMT6

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для RSQ045N03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RSQ045N03 даташит

 ..1. Size:119K  rohm
 rsq045n03.pdf pdf_icon

RSQ045N03

RSQ045N03 Transistors 4V Drive Nch MOSFET RSQ045N03 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET TSMT6 Features 1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TSMT6). 3) Low voltage drive (4V drive). Each lead has same dimensions Applications Abbreviated symbol QL Switching Packaging specifications Inner circuit (6) (5) (4)

 0.1. Size:1083K  rohm
 rsq045n03fra.pdf pdf_icon

RSQ045N03

RSQ045N03FRA Nch 30V 4.5A Power MOSFET Datasheet AEC-Q101 Qualified lOutline (6) VDSS 30V TSMT6 (5) (4) RDS(on) (Max.) 38mW ID (1) 4.5A (2) PD 1.25W (3) lFeatures lInner circuit 1) Low on - resistance. (1) Drain (2) Drain 2) Built-in G-S Protection Diode. (3) Gate (4) Source 3) Small Surface Mount Package (TSMT6). (5) Drain (6) Drain 4) Pb-free lead plati

 0.2. Size:117K  rohm
 rsq045n03tr.pdf pdf_icon

RSQ045N03

RSQ045N03 Transistors 4V Drive Nch MOSFET RSQ045N03 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET TSMT6 Features 1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TSMT6). 3) Low voltage drive (4V drive). Each lead has same dimensions Applications Abbreviated symbol QL Switching Packaging specifications Inner circuit (6) (5) (4)

 0.3. Size:842K  cn vbsemi
 rsq045n03tr.pdf pdf_icon

RSQ045N03

RSQ045N03TR www.VBsemi.tw N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.030 at VGS = 10 V 6 Low On-Resistance 30 4.2 nC 0.040 at VGS = 4.5 V 6 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC TSOP-6 APPLICATIONS DC/

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RSJ450N04, RSJ550N10, RSJ650N10, RSM002N06, RSM002P03, RSQ015N06, RSQ015P10, RSQ020N03, RFP50N06, RSR010N10, RSR020N06, RSR025N03, RSR025N05, RSR030N06, RSU002N06, RSU002P03, RT1A045AP