RSR010N10 Todos los transistores

 

RSR010N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RSR010N10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.37 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSMT3
 

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RSR010N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1162K  rohm
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RSR010N10

Data Sheet4V Drive Nch MOSFET RSR010N10 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETTSMT3Features (3)1) Low on-resistance.2) Built-in G-S Protection Diode.(1) (2)3) Small Surface Mount Package (TSMT3).Abbreviated symbol : ZJ ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping(3)TypeCode TLBasic ordering

 0.1. Size:1110K  rohm
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RSR010N10

RSR010N10FHA Nch 100V 1A Power MOSFET DatasheetAEC-Q101 QualifiedlOutlineVDSS TSMT3 100V(3) RDS(on) (Max.)520mW(1) ID1.0APD1.0W(2) lFeatures lInner circuit(1) Gate 1) Low on - resistance.(2) Source 2) Built-in G-S Protection Diode.(3) Drain 3) Small Surface Mount Package (TSMT3).4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant*1 ESD PROTECTION DIODE *2 BO

 9.1. Size:241K  rohm
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RSR010N10

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History: NVB072N65S3 | HGE055NE4A | GKI10194 | NTMFS5C645NLT3G | HM2N10 | H05N50E

 

 
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