Справочник MOSFET. RSR010N10

 

RSR010N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RSR010N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.37 Ohm
   Тип корпуса: TSMT3
 

 Аналог (замена) для RSR010N10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RSR010N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1162K  rohm
 rsr010n10.pdf pdf_icon

RSR010N10

Data Sheet4V Drive Nch MOSFET RSR010N10 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETTSMT3Features (3)1) Low on-resistance.2) Built-in G-S Protection Diode.(1) (2)3) Small Surface Mount Package (TSMT3).Abbreviated symbol : ZJ ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping(3)TypeCode TLBasic ordering

 0.1. Size:1110K  rohm
 rsr010n10fha.pdf pdf_icon

RSR010N10

RSR010N10FHA Nch 100V 1A Power MOSFET DatasheetAEC-Q101 QualifiedlOutlineVDSS TSMT3 100V(3) RDS(on) (Max.)520mW(1) ID1.0APD1.0W(2) lFeatures lInner circuit(1) Gate 1) Low on - resistance.(2) Source 2) Built-in G-S Protection Diode.(3) Drain 3) Small Surface Mount Package (TSMT3).4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant*1 ESD PROTECTION DIODE *2 BO

 9.1. Size:241K  rohm
 rsr015p03tl.pdf pdf_icon

RSR010N10

Другие MOSFET... RSJ550N10 , RSJ650N10 , RSM002N06 , RSM002P03 , RSQ015N06 , RSQ015P10 , RSQ020N03 , RSQ045N03 , AO4407 , RSR020N06 , RSR025N03 , RSR025N05 , RSR030N06 , RSU002N06 , RSU002P03 , RT1A045AP , RT1A050ZP .

 

 
Back to Top

 


 
.