RSR010N10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RSR010N10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.37 Ohm

Тип корпуса: TSMT3

Аналог (замена) для RSR010N10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RSR010N10 даташит

 ..1. Size:1162K  rohm
 rsr010n10.pdf pdf_icon

RSR010N10

Data Sheet 4V Drive Nch MOSFET RSR010N10 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET TSMT3 Features (3) 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. (1) (2) 3) Small Surface Mount Package (TSMT3). Abbreviated symbol ZJ Application Switching Packaging specifications Inner circuit Package Taping (3) Type Code TL Basic ordering

 0.1. Size:1110K  rohm
 rsr010n10fha.pdf pdf_icon

RSR010N10

RSR010N10FHA Nch 100V 1A Power MOSFET Datasheet AEC-Q101 Qualified lOutline VDSS TSMT3 100V (3) RDS(on) (Max.) 520mW (1) ID 1.0A PD 1.0W (2) lFeatures lInner circuit (1) Gate 1) Low on - resistance. (2) Source 2) Built-in G-S Protection Diode. (3) Drain 3) Small Surface Mount Package (TSMT3). 4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant *1 ESD PROTECTION DIODE *2 BO

 9.1. Size:241K  rohm
 rsr015p03tl.pdf pdf_icon

RSR010N10

Другие IGBT... RSJ550N10, RSJ650N10, RSM002N06, RSM002P03, RSQ015N06, RSQ015P10, RSQ020N03, RSQ045N03, IRF530, RSR020N06, RSR025N03, RSR025N05, RSR030N06, RSU002N06, RSU002P03, RT1A045AP, RT1A050ZP