RSR030N06 Todos los transistores

 

RSR030N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RSR030N06

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 12 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 95 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.06 Ohm

Empaquetado / Estuche: TSMT3

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RSR030N06 Datasheet (PDF)

1.1. rsr030n06tl.pdf Size:600K _update_mosfet

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RSR030N06 Nch 60V 3A Power MOSFET Datasheet lOutline VDSS TSMT3 60V (3) RDS(on) (Max.) 85mW ID (1) 3A PD 1W (2) lFeatures lInner circuit (1) Gate 1) Low on - resistance. (2) Source 2) Built-in G-S Protection Diode. (3) Drain 3) Small Surface Mount Package (TSMT3). 4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant *1 ESD PROTECTION DIODE *2 BODY DIODE lPackaging specifica

1.2. rsr030n06.pdf Size:217K _rohm

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4V Drive Nch MOSFET RSR030N06 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TSMT3 1.0MAX 2.9 0.85 0.4 0.7 ( ) 3 Features 1) Low On-resistance. ( ) ( ) 1 2 2) Small Surface Mount Package (TSMT3). 0.95 0.95 0.16 1.9 Abbreviated symbol : PY Application Inner circuit (3) Switching Packaging specifications ?2 Package Taping (1) Type Code TL ?1 B

 

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