RSR030N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: RSR030N06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSMT3

Búsqueda de reemplazo de MOSFET RSR030N06

RSR030N06 Datasheet (PDF)

..1. Size:217K rohm
rsr030n06.pdf

4V Drive Nch MOSFET RSR030N06 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TSMT3 1.0MAX2.90.850.4 0.7( ) 3 Features 1) Low On-resistance. ( ) ( )1 22) Small Surface Mount Package (TSMT3). 0.95 0.950.161.9Abbreviated symbol : PY Application Inner circuit (3)Switching Packaging specifications 2Package Taping (1)Type Code TL

0.1. Size:600K rohm
rsr030n06tl.pdf

RSR030N06 Nch 60V 3A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS TSMT3 60V(3) RDS(on) (Max.)85mWID (1) 3APD1W(2) lFeatures lInner circuit(1) Gate 1) Low on - resistance.(2) Source 2) Built-in G-S Protection Diode.(3) Drain 3) Small Surface Mount Package (TSMT3).4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant*1 ESD PROTECTION DIODE *2 BODY DIODE lPackaging specifica

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Liste

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