RSR030N06. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RSR030N06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: TSMT3

Аналог (замена) для RSR030N06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RSR030N06 даташит

 ..1. Size:217K  rohm
 rsr030n06.pdf pdf_icon

RSR030N06

4V Drive Nch MOSFET RSR030N06 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET TSMT3 1.0MAX 2.9 0.85 0.4 0.7 ( ) 3 Features 1) Low On-resistance. ( ) ( ) 1 2 2) Small Surface Mount Package (TSMT3). 0.95 0.95 0.16 1.9 Abbreviated symbol PY Application Inner circuit (3) Switching Packaging specifications 2 Package Taping (1) Type Code TL

 0.1. Size:600K  rohm
 rsr030n06tl.pdf pdf_icon

RSR030N06

RSR030N06 Nch 60V 3A Power MOSFET Datasheet lOutline VDSS TSMT3 60V (3) RDS(on) (Max.) 85mW ID (1) 3A PD 1W (2) lFeatures lInner circuit (1) Gate 1) Low on - resistance. (2) Source 2) Built-in G-S Protection Diode. (3) Drain 3) Small Surface Mount Package (TSMT3). 4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant *1 ESD PROTECTION DIODE *2 BODY DIODE lPackaging specifica

Другие IGBT... RSQ015N06, RSQ015P10, RSQ020N03, RSQ045N03, RSR010N10, RSR020N06, RSR025N03, RSR025N05, STP80NF70, RSU002N06, RSU002P03, RT1A045AP, RT1A050ZP, RT1A060AP, RT1C060UN, RT1E040RP, RT1E050RP