Справочник MOSFET. RSR030N06

 

RSR030N06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RSR030N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: TSMT3
 

 Аналог (замена) для RSR030N06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RSR030N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:217K  rohm
 rsr030n06.pdf pdf_icon

RSR030N06

4V Drive Nch MOSFET RSR030N06 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TSMT3 1.0MAX2.90.850.4 0.7( ) 3 Features 1) Low On-resistance. ( ) ( )1 22) Small Surface Mount Package (TSMT3). 0.95 0.950.161.9Abbreviated symbol : PY Application Inner circuit (3)Switching Packaging specifications 2Package Taping (1)Type Code TL

 0.1. Size:600K  rohm
 rsr030n06tl.pdf pdf_icon

RSR030N06

RSR030N06 Nch 60V 3A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS TSMT3 60V(3) RDS(on) (Max.)85mWID (1) 3APD1W(2) lFeatures lInner circuit(1) Gate 1) Low on - resistance.(2) Source 2) Built-in G-S Protection Diode.(3) Drain 3) Small Surface Mount Package (TSMT3).4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant*1 ESD PROTECTION DIODE *2 BODY DIODE lPackaging specifica

Другие MOSFET... RSQ015N06 , RSQ015P10 , RSQ020N03 , RSQ045N03 , RSR010N10 , RSR020N06 , RSR025N03 , RSR025N05 , 20N50 , RSU002N06 , RSU002P03 , RT1A045AP , RT1A050ZP , RT1A060AP , RT1C060UN , RT1E040RP , RT1E050RP .

History: S60N15RP | 2SK4067I | CHM4282JGP | HUFA76619D3 | PNM523T703E0-2

 

 
Back to Top

 


 
.