RT1A060AP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: RT1A060AP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 80 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 900 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSST8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET RT1A060AP

RT1A060AP Datasheet (PDF)

..1. Size:1228K rohm
rt1a060ap.pdf

Data Sheet1.5V Drive Pch MOSFETRT1A060AP Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETTSST8(8) (7) (6) (5)Features1) Low on-resistance.(1) (2) (3) (4)2) Low voltage drive (1.5V drive).3) Small surface mount package (TSST8).Abbreviated symbol : SG ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(8) (7) (6) (5)Package Tap

9.1. Size:1126K rohm
rt1a045ap.pdf

Data Sheet1.5V Drive Pch MOSFETRT1A045AP Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETTSST8(8) (7) (6) (5)Features1) Low On-resistance.2) Small high power package. (1) (2) (3) (4)3) Low voltage drive.(1.5V)Abbreviated symbol : SC ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping(8) (7) (6) (5)TypeCode TR

9.2. Size:214K rohm
rt1a050zptr.pdf

1.5V Drive Pch MOSFET RT1A050ZP Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET TSST8(8) (7) (6) (5) Features 1) Low on-resistance. 2) High power package. (1) (2) (3) (4)3) Low voltage drive. (1.5V) Abbreviated symbol : YH Applications Each lead has same dimensionsSwitching Packaging specifications Equivalent circuit Package Taping(8) (7) (6) (5)

9.3. Size:214K rohm
rt1a050zp.pdf

9.4. Size:218K rohm
rt1a040zptr.pdf

1.5V Drive Pch MOSFET RT1A040ZP Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET TSST8(8) (7) (6) (5) Features 1) Low on-resistance. 2) High power package. (1) (2) (3) (4)3) Low voltage drive. (1.5V) Abbreviated symbol : YEEach lead has same dimensions Applications Switching Packaging specifications Equivalent circuit Package Taping (8) (7) (6) (5)

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Liste

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