RT1A060AP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RT1A060AP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 900 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: TSST8

Аналог (замена) для RT1A060AP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RT1A060AP даташит

 ..1. Size:1228K  rohm
 rt1a060ap.pdf pdf_icon

RT1A060AP

Data Sheet 1.5V Drive Pch MOSFET RT1A060AP Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET TSST8 (8) (7) (6) (5) Features 1) Low on-resistance. (1) (2) (3) (4) 2) Low voltage drive (1.5V drive). 3) Small surface mount package (TSST8). Abbreviated symbol SG Application Switching Packaging specifications Inner circuit (8) (7) (6) (5) Package Tap

 9.1. Size:1126K  rohm
 rt1a045ap.pdf pdf_icon

RT1A060AP

Data Sheet 1.5V Drive Pch MOSFET RT1A045AP Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET TSST8 (8) (7) (6) (5) Features 1) Low On-resistance. 2) Small high power package. (1) (2) (3) (4) 3) Low voltage drive.(1.5V) Abbreviated symbol SC Application Switching Packaging specifications Inner circuit Package Taping (8) (7) (6) (5) Type Code TR

 9.2. Size:214K  rohm
 rt1a050zptr.pdf pdf_icon

RT1A060AP

1.5V Drive Pch MOSFET RT1A050ZP Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET TSST8 (8) (7) (6) (5) Features 1) Low on-resistance. 2) High power package. (1) (2) (3) (4) 3) Low voltage drive. (1.5V) Abbreviated symbol YH Applications Each lead has same dimensions Switching Packaging specifications Equivalent circuit Package Taping (8) (7) (6) (5)

 9.3. Size:214K  rohm
 rt1a050zp.pdf pdf_icon

RT1A060AP

1.5V Drive Pch MOSFET RT1A050ZP Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET TSST8 (8) (7) (6) (5) Features 1) Low on-resistance. 2) High power package. (1) (2) (3) (4) 3) Low voltage drive. (1.5V) Abbreviated symbol YH Applications Each lead has same dimensions Switching Packaging specifications Equivalent circuit Package Taping (8) (7) (6) (5)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RSR020N06, RSR025N03, RSR025N05, RSR030N06, RSU002N06, RSU002P03, RT1A045AP, RT1A050ZP, 4N60, RT1C060UN, RT1E040RP, RT1E050RP, RT1E060XN, RTF015N03, RTF016N05, RTF025N03, RTL035N03