RT1C060UN Todos los transistores

 

RT1C060UN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RT1C060UN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSST8
 

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RT1C060UN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:315K  rohm
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RT1C060UN

1.5V Drive Nch MOSFET RT1C060UN Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFET TSST8(8) (7) (6) (5)Features1) Low on-resistance.(1) (2) (3) (4)2) High power package (TSST8).3) Low voltage drive (1.5V drive).Abbreviated symbol : VB ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping(8) (7) (6) (5)TypeCode TR

Otros transistores... RSR025N03 , RSR025N05 , RSR030N06 , RSU002N06 , RSU002P03 , RT1A045AP , RT1A050ZP , RT1A060AP , STF13NM60N , RT1E040RP , RT1E050RP , RT1E060XN , RTF015N03 , RTF016N05 , RTF025N03 , RTL035N03 , RTQ020N03 .

History: 2SK2445 | GP1T080A120B

 

 
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