Справочник MOSFET. RT1C060UN

 

RT1C060UN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RT1C060UN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: TSST8
 

 Аналог (замена) для RT1C060UN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RT1C060UN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:315K  rohm
 rt1c060un.pdf pdf_icon

RT1C060UN

1.5V Drive Nch MOSFET RT1C060UN Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFET TSST8(8) (7) (6) (5)Features1) Low on-resistance.(1) (2) (3) (4)2) High power package (TSST8).3) Low voltage drive (1.5V drive).Abbreviated symbol : VB ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping(8) (7) (6) (5)TypeCode TR

Другие MOSFET... RSR025N03 , RSR025N05 , RSR030N06 , RSU002N06 , RSU002P03 , RT1A045AP , RT1A050ZP , RT1A060AP , STF13NM60N , RT1E040RP , RT1E050RP , RT1E060XN , RTF015N03 , RTF016N05 , RTF025N03 , RTL035N03 , RTQ020N03 .

History: 7N65G-TN3-R | 2SK4067I | IRF7478QPBF | ZXMP6A17GTA | RXR035N03 | HY4504W | IXFV18N90PS

 

 
Back to Top

 


 
.