RT1E060XN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RT1E060XN

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm

Encapsulados: TSST8

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RT1E060XN datasheet

 ..1. Size:1138K  rohm
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RT1E060XN

Data Sheet 4V Drive Nch MOSFET RT1E060XN Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET TSST8 (8) (7) (6) (5) Features 1) Low on-resistance. (1) (2) (3) (4) 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small Surface Mount Package (TSST8). Abbreviated symbol XR Application Switching Packaging specifications Inner circuit Package Taping (8) (7) (6) (

 9.1. Size:312K  rohm
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RT1E060XN

4V Drive Pch MOSFET RT1E040RP Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET TSST8 (8) (7) (6) (5) Features 1) Low On-resistance. 2) High power package. (1) (2) (3) (4) 3) 4V drive. Abbreviated symbol UG Application Switching Inner curcuit Packaging specifications (8) (7) (6) (5) Package Taping 2 Type Code TR (1) Drain Basic ordering

 9.2. Size:310K  rohm
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RT1E060XN

4V Drive Pch MOSFET RT1E050RP Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET TSST8 (8) (7) (6) (5) Features 1) Low on-resistance. (1) (2) (3) (4) 2) High power package. 3) 4V drive. Abbreviated symbol UD Application Switching Packaging specifications Inner circuit Package Taping (8) (7) (6) (5) Type Code TR 2 Basic ordering unit (pieces)

Otros transistores... RSU002N06, RSU002P03, RT1A045AP, RT1A050ZP, RT1A060AP, RT1C060UN, RT1E040RP, RT1E050RP, 10N65, RTF015N03, RTF016N05, RTF025N03, RTL035N03, RTQ020N03, RTQ020N05, RTQ035N03, RTQ045N03