RT1E060XN - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: RT1E060XN
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
Тип корпуса: TSST8
Аналог (замена) для RT1E060XN
RT1E060XN Datasheet (PDF)
rt1e060xn.pdf

Data Sheet4V Drive Nch MOSFET RT1E060XN Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETTSST8(8) (7) (6) (5)Features1) Low on-resistance.(1) (2) (3) (4)2) Built-in G-S Protection Diode.3) Small Surface Mount Package (TSST8).Abbreviated symbol : XR ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping(8) (7) (6) (
rt1e040rp.pdf

4V Drive Pch MOSFET RT1E040RP Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETTSST8(8) (7) (6) (5)Features1) Low On-resistance.2) High power package. (1) (2) (3) (4)3) 4V drive.Abbreviated symbol : UG ApplicationSwitching Inner curcuit Packaging specifications(8) (7) (6) (5)Package Taping2TypeCode TR(1) DrainBasic ordering
rt1e050rp.pdf

4V Drive Pch MOSFET RT1E050RP Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETTSST8(8) (7) (6) (5)Features1) Low on-resistance.(1) (2) (3) (4)2) High power package.3) 4V drive.Abbreviated symbol :UD ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping (8) (7) (6) (5)TypeCode TR2Basic ordering unit (pieces)
Другие MOSFET... RSU002N06 , RSU002P03 , RT1A045AP , RT1A050ZP , RT1A060AP , RT1C060UN , RT1E040RP , RT1E050RP , 75N75 , RTF015N03 , RTF016N05 , RTF025N03 , RTL035N03 , RTQ020N03 , RTQ020N05 , RTQ035N03 , RTQ045N03 .
History: PJM2300NSA-L | PK5E6BA | LSH65R950HT | 2SK2542 | HM4412A | FQB11N40C | WMB35P04T1
History: PJM2300NSA-L | PK5E6BA | LSH65R950HT | 2SK2542 | HM4412A | FQB11N40C | WMB35P04T1



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
k8a50d datasheet | 2sc381 | datasheet mosfet | 2sk2586 | 13005 transistor | ecg123a | irfp360 | bc108 equivalent