RTF016N05 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RTF016N05

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 0.8 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 45 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 12 V

Corriente continua de drenaje (Id): 1.6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 14 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 40 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.14 Ohm

Empaquetado / Estuche: TUMT3

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RTF016N05 Datasheet (PDF)

1.1. rtf016n05.pdf Size:1118K _rohm

Data Sheet 2.5V Drive Nch MOSFET RTF016N05 ? Structure ? Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TUMT3 ?Features 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small Surface Mount Package (TUMT3). Abbreviated symbol : PU ? Application Switching ? Packaging specifications ? Inner circuit (3) Package Taping Type Code TL Basic ordering unit (pieces) 3000 ?2 R

5.1. rtf015n03.pdf Size:158K _rohm

2.5V Drive Nch MOSFET RTF015N03 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TUMT3 0.85Max. 2.0 0.3 0.77 Features (3) 1) Low On-resistance. 0~0.1 2) Space saving, small surface mount package (TUMT3). (1) (2) 3) Low voltage drive (2.5V drive). 0.17 0.65 0.65 1.3 (1) Gate (2) Source Abbreviated symbol : PP Applications (3) Drain Switching Packaging

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