RTF016N05. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RTF016N05

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 45 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm

Тип корпуса: TUMT3

Аналог (замена) для RTF016N05

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RTF016N05 даташит

 ..1. Size:1118K  rohm
 rtf016n05.pdf pdf_icon

RTF016N05

Data Sheet 2.5V Drive Nch MOSFET RTF016N05 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET TUMT3 Features 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small Surface Mount Package (TUMT3). Abbreviated symbol PU Application Switching Packaging specifications Inner circuit (3) Package Taping Type Code TL Basic ordering unit (piec

 9.1. Size:158K  rohm
 rtf015n03.pdf pdf_icon

RTF016N05

2.5V Drive Nch MOSFET RTF015N03 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET TUMT3 0.85Max. 2.0 0.3 0.77 Features (3) 1) Low On-resistance. 0 0.1 2) Space saving, small surface mount package (TUMT3). (1) (2) 3) Low voltage drive (2.5V drive). 0.17 0.65 0.65 1.3 (1) Gate (2) Source Abbreviated symbol PP Applications (3) Drain Switching Packagi

 9.2. Size:95K  rohm
 rtf010p02.pdf pdf_icon

RTF016N05

RTF010P02 Transistors 2.5V Drive Pch MOSFET RTF010P02 Dimensions (Unit mm) Structure Silicon P-channel TUMT3 MOSFET Features 1) Low on-resistance. (570m at 2.5V) 2) High power package. 3) High speed switching. (1) Gate 4) Low voltage drive. (2.5V) (2) Source Abbreviated symbol WQ (3) Drain Applications DC-DC converter Packaging specifications Equi

 9.3. Size:89K  rohm
 rtf010p02tl.pdf pdf_icon

RTF016N05

RTF010P02 Transistors DC-DC Converter (-20V, -1.0A) RTF010P02 External dimensions (Unit mm) Features 1) Low on-resistance. (80m at 2.5V) TUMT3 2.0 0.1 0.85MAX 2) High power package. 0.77 0.05 0.3+0.1 -0.05 3) High speed switching. (3) 4) Low voltage drive. (2.5V) 0 to 0.1 (1) (2) Applications 0.65 0.65 0.17 0.05 DC-DC converter 1.3 0.1 Each lead has

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RT1A045AP, RT1A050ZP, RT1A060AP, RT1C060UN, RT1E040RP, RT1E050RP, RT1E060XN, RTF015N03, RFP50N06, RTF025N03, RTL035N03, RTQ020N03, RTQ020N05, RTQ035N03, RTQ045N03, RTR020N05, RTR025N03