RU1C002ZP Todos los transistores

 

RU1C002ZP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RU1C002ZP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 10 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: UMT3F
     - Selección de transistores por parámetros

 

RU1C002ZP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:968K  rohm
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RU1C002ZP

Data Sheet1.2V Drive Pch MOSFET RU1C002ZP Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFET UMT3F2.00.90.32(3)Features1) Low on-resistance.2) Low voltage drive(1.2V drive).(1) (2)0.65 0.65 0.131.3Abbreviated symbol : YK ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping (3)TypeCode TCLBasic ordering un

 7.1. Size:957K  rohm
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RU1C002ZP

Data Sheet1.2V Drive Nch MOSFET RU1C002UN Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFET UMT3F2.00.90.32(3)Features1) Low on-resistance.2) Low voltage drive(1.2V drive).(1) (2)0.65 0.65 0.131.3Abbreviated symbol : QR ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(3)Package TapingTypeCode TCLBasic ordering u

 8.1. Size:1322K  rohm
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RU1C002ZP

RU1C001ZPDatasheetPch -20V -100mA Small Signal MOSFETlOutlinel SOT-323FLVDSS-20V SC-85RDS(on)(Max.)3.8 UMT3FID100mAPD200mW lInner circuitllFeaturesl1) Low voltage drive(1.2V) makes this deviceideal for partable equipment.2) Drive circuits can be simple.3) Built-in G-S Protection Diode.lPack

 8.2. Size:2193K  rohm
 ru1c001un.pdf pdf_icon

RU1C002ZP

RU1C001UNDatasheetNch 20V 100mA Small Signal MOSFETlOutlinel SOT-323FLVDSS20V SC-85RDS(on)(Max.)3.5 UMT3FID100mAPD150mW lInner circuitllFeaturesl1) Low voltage drive(1.2V) makes this deviceideal for partable equipment.2) Drive circuits can be simple.3) Built-in G-S Protection Diode.lPackagi

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History: NTB6410AN | SDF1NA60

 

 
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