Справочник MOSFET. RU1C002ZP

 

RU1C002ZP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RU1C002ZP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
   Тип корпуса: UMT3F

 Аналог (замена) для RU1C002ZP

 

 

RU1C002ZP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:968K  rohm
 ru1c002zp.pdf

RU1C002ZP RU1C002ZP

Data Sheet1.2V Drive Pch MOSFET RU1C002ZP Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFET UMT3F2.00.90.32(3)Features1) Low on-resistance.2) Low voltage drive(1.2V drive).(1) (2)0.65 0.65 0.131.3Abbreviated symbol : YK ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping (3)TypeCode TCLBasic ordering un

 7.1. Size:957K  rohm
 ru1c002un.pdf

RU1C002ZP RU1C002ZP

Data Sheet1.2V Drive Nch MOSFET RU1C002UN Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFET UMT3F2.00.90.32(3)Features1) Low on-resistance.2) Low voltage drive(1.2V drive).(1) (2)0.65 0.65 0.131.3Abbreviated symbol : QR ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(3)Package TapingTypeCode TCLBasic ordering u

 8.1. Size:1322K  rohm
 ru1c001zp.pdf

RU1C002ZP RU1C002ZP

RU1C001ZPDatasheetPch -20V -100mA Small Signal MOSFETlOutlinel SOT-323FLVDSS-20V SC-85RDS(on)(Max.)3.8 UMT3FID100mAPD200mW lInner circuitllFeaturesl1) Low voltage drive(1.2V) makes this deviceideal for partable equipment.2) Drive circuits can be simple.3) Built-in G-S Protection Diode.lPack

 8.2. Size:2193K  rohm
 ru1c001un.pdf

RU1C002ZP RU1C002ZP

RU1C001UNDatasheetNch 20V 100mA Small Signal MOSFETlOutlinel SOT-323FLVDSS20V SC-85RDS(on)(Max.)3.5 UMT3FID100mAPD150mW lInner circuitllFeaturesl1) Low voltage drive(1.2V) makes this deviceideal for partable equipment.2) Drive circuits can be simple.3) Built-in G-S Protection Diode.lPackagi

 8.3. Size:404K  ruichips
 ru1c001zp.pdf

RU1C002ZP RU1C002ZP

RU1C001ZP Pch -20V -100mA Small Signal MOSFET DatasheetlOutlineVDSS-20VUMT3F(3) RDS(on) (Max.)3.8WID-100mA(1) PD150mW (2) lFeatures lInner circuit1) Low voltage drive(1.2V) makes this(1) Gate device ideal for partable equipment.(2) Source 2) Drive circuits can be simple.(3) Drain 3) Built-in G-S Protection Diode.*1 BODY DIODE *2 ESD PROTECTION DIOD

 8.4. Size:586K  ruichips
 ru1c001un.pdf

RU1C002ZP RU1C002ZP

RU1C001UN Nch 20V 100mA Small Signal MOSFET Data SheetlOutlineVDSS20VUMT3F(3) RDS(on) (Max.)3.5WID100mA(1) PD150mW(2) lFeatures lInner circuit1) Low voltage drive(1.2V) makes this(1) Gate device ideal for partable equipment.(2) Source 2) Drive circuits can be simple.(3) Drain 3) Built-in G-S Protection Diode.*1 BODY DIODE *2 ESD PROTECTION DIODE

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top