RU1E002SP Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RU1E002SP  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.25 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 10 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.9 Ohm

Encapsulados: UMT3F

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RU1E002SP datasheet

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RU1E002SP

Data Sheet 4V Drive Pch MOSFET RU1E002SP Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET UMT3F 2.0 0.9 0.32 (3) Features 1) High-speed switching. 2) Small package (UMT3F). (1) (2) 3) 4V drive. 0.65 0.65 0.13 1.3 Abbreviated symbol WP Application Switching Packaging specifications Inner circuit (3) Package Taping Type Code TCL Basic orde

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