RU1E002SP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: RU1E002SP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 10 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.9 Ohm
   Paquete / Cubierta: UMT3F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET RU1E002SP

RU1E002SP Datasheet (PDF)

..1. Size:1139K rohm
ru1e002sp.pdf

Data Sheet4V Drive Pch MOSFET RU1E002SP Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFET UMT3F2.00.90.32(3)Features1) High-speed switching.2) Small package (UMT3F).(1) (2)3) 4V drive. 0.65 0.65 0.131.3Abbreviated symbol : WP ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(3)Package TapingTypeCode TCLBasic orde

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Liste

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