RU1E002SP Todos los transistores

 

RU1E002SP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RU1E002SP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 10 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.9 Ohm
   Paquete / Cubierta: UMT3F
 

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RU1E002SP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1139K  rohm
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RU1E002SP

Data Sheet4V Drive Pch MOSFET RU1E002SP Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFET UMT3F2.00.90.32(3)Features1) High-speed switching.2) Small package (UMT3F).(1) (2)3) 4V drive. 0.65 0.65 0.131.3Abbreviated symbol : WP ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(3)Package TapingTypeCode TCLBasic orde

Otros transistores... RTQ045N03 , RTR020N05 , RTR025N03 , RTR025N05 , RTR030N05 , RTR040N03 , RU1C002UN , RU1C002ZP , IRFZ46N , RU1L002SN , RUC002N05 , RUE002N02 , RUE002N05 , RUF015N02 , RUF020N02 , RUF025N02 , RUL035N02 .

History: SI3481DV | AP2328GN-HF | MDIB6N70CTH | HY3007PS | IRFB3207PBF | AP0904GH

 

 
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