Справочник MOSFET. RU1E002SP

 

RU1E002SP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RU1E002SP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.25 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm
   Тип корпуса: UMT3F

 Аналог (замена) для RU1E002SP

 

 

RU1E002SP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1139K  rohm
 ru1e002sp.pdf

RU1E002SP RU1E002SP

Data Sheet4V Drive Pch MOSFET RU1E002SP Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFET UMT3F2.00.90.32(3)Features1) High-speed switching.2) Small package (UMT3F).(1) (2)3) 4V drive. 0.65 0.65 0.131.3Abbreviated symbol : WP ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(3)Package TapingTypeCode TCLBasic orde

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top