RU1E002SP - описание и поиск аналогов

 

RU1E002SP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU1E002SP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm

Тип корпуса: UMT3F

Аналог (замена) для RU1E002SP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU1E002SP даташит

 ..1. Size:1139K  rohm
 ru1e002sp.pdf pdf_icon

RU1E002SP

Data Sheet 4V Drive Pch MOSFET RU1E002SP Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET UMT3F 2.0 0.9 0.32 (3) Features 1) High-speed switching. 2) Small package (UMT3F). (1) (2) 3) 4V drive. 0.65 0.65 0.13 1.3 Abbreviated symbol WP Application Switching Packaging specifications Inner circuit (3) Package Taping Type Code TCL Basic orde

Другие MOSFET... RTQ045N03 , RTR020N05 , RTR025N03 , RTR025N05 , RTR030N05 , RTR040N03 , RU1C002UN , RU1C002ZP , IRFB31N20D , RU1L002SN , RUC002N05 , RUE002N02 , RUE002N05 , RUF015N02 , RUF020N02 , RUF025N02 , RUL035N02 .

History: XP161A1265PR-G | RU3030M3 | IRFU3418PBF

 

 

 

 

↑ Back to Top
.